品牌/商标 | 进口 | 型号/规格 | K1969,2SK1969 |
种类 | 结型(JFET) | 沟道类型 | N沟道 |
导电方式 | 耗尽型 | 用途 | MW/微波 |
封装外形 | CHIP/小型片状 | 材料 | P-FET硅P沟道 |
开启电压 | n(V) | 夹断电压 | n(V) |
跨导 | n(μS) | 极间电容 | n(pF) |
低频噪声系数 | n(dB) | 漏极电流 | n(mA) |
耗散功率 | n(mW) |
品牌/商标 ST意法半导体 型号/规格 BTA26 控制方式 双向 极数 二极 封装材料 金属封装 封装外形 平板形 关断速度 高频(快速) 散热功能 带散热片 频率特性 高频 功率特性 中功率 额定正向平均电流 n(A) 控制极触发电流 n(mA) 稳定工作电流 n(A) 反向重复峰值电压 n(V)
品牌/商标 INFINEON/英飞凌 型号/规格 20N60S5,20N60C3 种类 结型(JFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 用途 DC/直流 封装外形 CER-DIP/陶瓷直插 材料 ALGaAS铝镓砷 开启电压 n(V) 夹断电压 n(V) 跨导 n(μS) 极间电容 n(pF) 低频噪声系数 n(dB) 漏极电流 n(mA) 耗散功率 n(mW)