品牌/商标 | INFINEON/英飞凌 | 型号/规格 | 20N60S5,20N60C3 |
种类 | 结型(JFET) | 沟道类型 | N沟道 |
导电方式 | 增强型 | 用途 | DC/直流 |
封装外形 | CER-DIP/陶瓷直插 | 材料 | ALGaAS铝镓砷 |
开启电压 | n(V) | 夹断电压 | n(V) |
跨导 | n(μS) | 极间电容 | n(pF) |
低频噪声系数 | n(dB) | 漏极电流 | n(mA) |
耗散功率 | n(mW) |
品牌/商标 IR美国国际整流器公司 型号/规格 IRF850,IRF840,IRF844,IRF820 种类 结型(JFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 耗尽型 用途 MW/微波 封装外形 CHIP/小型片状 材料 N-FET硅N沟道 开启电压 n(V) 夹断电压 n(V) 跨导 n(μS) 极间电容 n(pF) 低频噪声系数 n(dB) 漏极电流 n(mA) 耗散功率 n(mW)
品牌/商标 仙童 型号/规格 1M0880,1M0765,1M0680 种类 结型(JFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 耗尽型 用途 MW/微波 封装外形 CER-DIP/陶瓷直插 材料 N-FET硅N沟道 开启电压 n(V) 夹断电压 n(V) 跨导 n(μS) 极间电容 n(pF) 低频噪声系数 n(dB) 漏极电流 n(mA) 耗散功率 n(mW)