品牌/商标 | ST意法半导体 | 型号/规格 | BTA26 |
控制方式 | 双向 | 极数 | 二极 |
封装材料 | 金属封装 | 封装外形 | 平板形 |
关断速度 | 高频(快速) | 散热功能 | 带散热片 |
频率特性 | 高频 | 功率特性 | 中功率 |
额定正向平均电流 | n(A) | 控制极触发电流 | n(mA) |
稳定工作电流 | n(A) | 反向重复峰值电压 | n(V) |
品牌/商标 INFINEON/英飞凌 型号/规格 20N60S5,20N60C3 种类 结型(JFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 用途 DC/直流 封装外形 CER-DIP/陶瓷直插 材料 ALGaAS铝镓砷 开启电压 n(V) 夹断电压 n(V) 跨导 n(μS) 极间电容 n(pF) 低频噪声系数 n(dB) 漏极电流 n(mA) 耗散功率 n(mW)
品牌/商标 IR美国国际整流器公司 型号/规格 IRF850,IRF840,IRF844,IRF820 种类 结型(JFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 耗尽型 用途 MW/微波 封装外形 CHIP/小型片状 材料 N-FET硅N沟道 开启电压 n(V) 夹断电压 n(V) 跨导 n(μS) 极间电容 n(pF) 低频噪声系数 n(dB) 漏极电流 n(mA) 耗散功率 n(mW)