供应 场效应管 WFF634,HFS634,CEFF634,IRFS634
| 价 格： | 面议 | |
| 型号/规格： | HFS634,N,MOS,220F,250V,8.1A | |
| 品牌/商标： | SEMIHOW | |
| 封装形式： | TO-220F | |
| 环保类别： | 无铅环保型 | |
| 安装方式： | 直插式 | |
| 包装方式： | 1000/盒 | |
| 功率特征： | |
2SK2350,TOSHIBA,TO-220F,DIP/MOS,N场,200V,8.5A,0.4Ω
FQPF10N20C,FAIRCHILD,TO-220F,DIP/MOS,N场,200V,9.5A,0.36Ω
IRFS630B,FAIRCHILD,TO-220F,DIP/MOS,N场,200V,9A,0.4Ω
FKP253,SK,TO-220F,DIP/MOS,N场,250V,20A,0Ω
FS20KM-5,RENESAS/瑞萨,TO-220F,DIP/MOS,N场,250V,20A,0Ω
FS20KM-5,三凌/MITSUBISHI,TO-220F,DIP/MOS,N场,250V,20A,0Ω
IRFS654B,FAIRCHILD,TO-220F,DIP/MOS,N场,250V,21A,0.14Ω
CEFF634,CET/华瑞,TO-220F,DIP/MOS,N场,250V,8.1A,0.45Ω
IRFS634A,FAIRCHILD,TO-220F,DIP/MOS,N场,250V,8.1A,0.45Ω
STK0825F,AUK,TO-220F,DIP/MOS,N场,250V,8A,0.4Ω
STF7NK30Z,ST,TO-220F,DIP/MOS,N场,300V,5A,0.9Ω
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供应 场效应管 IRFS640B,IRFS640A,HFS640,WFF640
信息内容：<友情提示>具体价格视当天市场行情而定.买家请通过电话或贸易通在线联系，以确定当日市场价格。以免造成双方的误会与纠纷，谢谢您！ 全新!价格优惠!现货供应! 以优势说话! HFS640,SemiHow,TO-220F,DIP/MOS,N场,200V,18A,0Ω IRF640MFP,ST,TO-220F,DIP/MOS,N场,200V,18A,0Ω IRFS640B,FAIRCHILD,TO-220F,DIP/MOS,N场,200V,18A,0.18Ω STK1820F,AUK,TO-220F,DIP/MOS,N场,200V,18A,0.17Ω FQPF32N20C,FAIRCHILD,TO-220F,DIP/MOS,N场,200V,28A,0.082Ω FKP253,SK,TO-220F,DIP/MOS,N场,250V,20A,0Ω FS20KM-5,RENESAS/瑞萨,TO-220F,DIP/MOS,N场,250V,20A,0Ω FS20KM-5,三凌/MITSUBISHI,TO-220F,DIP/MOS,N场,250V,20A,0Ω IRFS654B,FAIRCHILD,TO-220F,DIP/MOS,N场,250V,21A,0.14Ω 如需了解更多的产品信息: 1、直接与我司工作人员联系! 2、登陆我站:http://www.chinajincheng.com 3、Q Q：4006262666 (产品图片,产品参数,产品PDF等产品相关信息在线了解\查询\下载.)
供应 场效应管 , IRFZ44ZPBF , IRFZ44Z , IRFZ44
信息内容：IRFZ44ZPBF IR TO-220 08NPB DIP/MOS N场 55V 51A 13.9mΩ Parameter Symbol Conditions Value Unit Drain-source breakdown voltage V(BR)DSS VGS=0V,ID=250µA 55 V Continuous drain current ID TC=25℃ 51 A Pulsed drain current IDM TC=25℃ 200 A Power dissipation Ptot TC=25℃ 80 W Gate source voltage VGS ±20 V Gate threshold voltage VGS(th) VDS=VGS,ID=250µA 4 V Avalanche...
