三重扩散平面型高压高速开关2SC2625
| 价 格： | 1.80 |
| 品牌/商标 | F | 型号/规格 | 2SC2625 |
| 批号 | 10 | 封装 | TO-3P |
| 营销方式 | 现货 | 产品性质 | 热销 |
| 处理信号 | 数模混合信号 | 制作工艺 | 半导体集成 |
| 导电类型 | 双极型 | 集成程度 | 大规模 |
| 规格尺寸 | 50（mm） | 工作温度 | -40~125（℃） |
| 静态功耗 | 50（mW） | 类型 | 稳压IC |
型 号： 2SC2625
厂 商： Fuji Electric
描 述： TRIPLE DIFFUSED PLANER TYPE HIGH VOLTAGE HIGH SPEED SWITCHING
中文描述： 三重扩散平面型高压高速开关
- 所属城市：广东 深圳
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MOS场效应管FQPF5N90C
信息内容：品牌/商标 Federick美国 型号/规格 FQPF5N90C 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 耗尽型 用途 HF/高频(射频)放大 封装外形 P-DIT/塑料双列直插 材料 MES金属半导体 开启电压 200（V） 夹断电压 200（V） 跨导 20（μS） 极间电容 200（pF） 低频噪声系数 200（dB） 漏极电流 200（mA） 耗散功率 200（mW）
寄存器 HEF4021BT 飞利蒲 进口原装
信息内容：品牌/商标 PHI荷兰飞利浦 型号/规格 HEF4021BT 种类 结型(JFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 用途 D-G双栅四极 封装外形 CHIP/小型片状 材料 GE-P-FET锗P沟道 开启电压 100（V） 夹断电压 100（V） 低频跨导 100（μS） 极间电容 100（pF） 低频噪声系数 100（dB） 漏极电流 100（mA） 耗散功率 100（mW） 型 号： HEF4021BT厂 商： Philips Semiconductors描 述： 8-bit static shift register 中文描述： 8位静态移位寄存器
