寄存器 HEF4021BT 飞利蒲 进口原装
| 价 格： | 0.66 |
| 品牌/商标 | PHI荷兰飞利浦 | 型号/规格 | HEF4021BT |
| 种类 | 结型(JFET) | 沟道类型 | N沟道 |
| 导电方式 | 增强型 | 用途 | D-G双栅四极 |
| 封装外形 | CHIP/小型片状 | 材料 | GE-P-FET锗P沟道 |
| 开启电压 | 100（V） | 夹断电压 | 100（V） |
| 低频跨导 | 100（μS） | 极间电容 | 100（pF） |
| 低频噪声系数 | 100（dB） | 漏极电流 | 100（mA） |
| 耗散功率 | 100（mW） |
型 号： HEF4021BT
厂 商： Philips Semiconductors
描 述： 8-bit static shift register
中文描述： 8位静态移位寄存器
- 所属城市：广东 深圳
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仙童MOS场效管FQPF6N80C,6N80
信息内容：品牌/商标 FAIRCHILD/仙童 型号/规格 FQPF6N80C 种类 结型(JFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 用途 DC/直流 封装外形 P-DIT/塑料双列直插 材料 MES金属半导体 开启电压 600（V） 夹断电压 125（V） 跨导 20（μS） 极间电容 100（pF） 低频噪声系数 500（dB） 漏极电流 35（mA） 耗散功率 45（mW） 型 号： FQPF6N80C厂 商： Fairchild Semiconductor描 述： 800V N-Channel MOSFET 中文描述： 800V的N沟道MOSFET
MOS场效应管FQPF5N60C,5N60
信息内容：品牌/商标 Federick美国 型号/规格 FQPF5N60 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 用途 HF/高频(射频)放大 封装外形 P-DIT/塑料双列直插 材料 N-FET硅N沟道 开启电压 200（V） 夹断电压 200（V） 跨导 20（μS） 极间电容 200（pF） 低频噪声系数 200（dB） 漏极电流 200（mA） 耗散功率 200（mW）
