MOS场效应管FQPF5N90C
| 价 格： | 1.60 |
| 品牌/商标 | Federick美国 | 型号/规格 | FQPF5N90C |
| 种类 | 绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型 | N沟道 |
| 导电方式 | 耗尽型 | 用途 | HF/高频(射频)放大 |
| 封装外形 | P-DIT/塑料双列直插 | 材料 | MES金属半导体 |
| 开启电压 | 200（V） | 夹断电压 | 200（V） |
| 跨导 | 20（μS） | 极间电容 | 200（pF） |
| 低频噪声系数 | 200（dB） | 漏极电流 | 200（mA） |
| 耗散功率 | 200（mW） |
- 所属城市：广东 深圳
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寄存器 HEF4021BT 飞利蒲 进口原装
信息内容：品牌/商标 PHI荷兰飞利浦 型号/规格 HEF4021BT 种类 结型(JFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 用途 D-G双栅四极 封装外形 CHIP/小型片状 材料 GE-P-FET锗P沟道 开启电压 100（V） 夹断电压 100（V） 低频跨导 100（μS） 极间电容 100（pF） 低频噪声系数 100（dB） 漏极电流 100（mA） 耗散功率 100（mW） 型 号： HEF4021BT厂 商： Philips Semiconductors描 述： 8-bit static shift register 中文描述： 8位静态移位寄存器
仙童MOS场效管FQPF6N80C,6N80
信息内容：品牌/商标 FAIRCHILD/仙童 型号/规格 FQPF6N80C 种类 结型(JFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 用途 DC/直流 封装外形 P-DIT/塑料双列直插 材料 MES金属半导体 开启电压 600（V） 夹断电压 125（V） 跨导 20（μS） 极间电容 100（pF） 低频噪声系数 500（dB） 漏极电流 35（mA） 耗散功率 45（mW） 型 号： FQPF6N80C厂 商： Fairchild Semiconductor描 述： 800V N-Channel MOSFET 中文描述： 800V的N沟道MOSFET
