品牌/商标 | NS | 型号/规格 | LM2907N |
批号 | 2010+ | 封装 | DIP-14 |
营销方式 | 现货 | 产品性质 | 热销 |
处理信号 | 模拟信号 | 制作工艺 | 半导体集成 |
导电类型 | 单极型 | 集成程度 | 中规模 |
规格尺寸 | 0.39(mm) | 工作温度 | -40~125(℃) |
静态功耗 | 120(mW) | 类型 | 驱动IC |
LM2907, LM2917 |
14-DIP Pkg |
25 |
積體電路(IC) |
PMIC - V/F和F/V轉換器 |
* |
頻率至電壓 |
10kHz |
- |
±0.3% |
通孔 |
14-DIP (0.300", 7.62mm) |
管裝 |
* |
*LM2907N LM2907 LM2907N |
品牌/商标 IR 型号/规格 IR2153PBF 封装 DIP-8 批号 2011+ 类型 其他IC 数据列表IR2153(D/S) (PbF)产品相片8-DIP Package标准包装50类别集成电路 (IC)家庭PMIC - MOSFET,电桥驱动器 - 外部开关系列-配置高端和低端,同步输入类型自振荡延迟时间-电流 - 峰200mA配置数1输出数2高端电压 - (自引导启动)600V电源电压10 V ~ 15.6 V工作温度-40°C ~ 125°C安装类型通孔
品牌/商标 ST意法半导体 型号/规格 STW10NK80Z 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 用途 MIN/微型 封装外形 P-DIT/塑料双列直插 材料 N-FET硅N沟道 开启电压 800(V) 夹断电压 4.0(V) 低频跨导 2(μS) 极间电容 2(pF) 低频噪声系数 2(dB) 漏极电流 9A(mA) 耗散功率 160W(mW) 数据列表STP10NK80Z/FP, STW10NK80Z产品相片TO-247 Pkg产品目录绘图ST Series TO-247标准包装30类别分离式半导体产品家庭MOSFET,GaNFET - 单系列SuperMESH™FET 型MOSFET N 通道,...