IR2153 IR2153PBF DIP-8封装 IR原装全新
| 价 格： | 2.40 |
| 品牌/商标 | IR | 型号/规格 | IR2153PBF |
| 封装 | DIP-8 | 批号 | 2011+ |
| 类型 | 其他IC |
| IR2153(D/S) (PbF) |
| 8-DIP Package |
| 50 |
| 集成电路 (IC) |
| PMIC - MOSFET，电桥驱动器 - 外部开关 |
| - |
| 高端和低端，同步 |
| 自振荡 |
| - |
| 200mA |
| 1 |
| 2 |
| 600V |
| 10 V ~ 15.6 V |
| -40°C ~ 125°C |
| 通孔 |
- 所属城市：广东 深圳
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STW10NK80Z增强型MOS管N沟道，进口原装
信息内容：品牌/商标 ST意法半导体 型号/规格 STW10NK80Z 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 用途 MIN/微型 封装外形 P-DIT/塑料双列直插 材料 N-FET硅N沟道 开启电压 800（V） 夹断电压 4.0（V） 低频跨导 2（μS） 极间电容 2（pF） 低频噪声系数 2（dB） 漏极电流 9A（mA） 耗散功率 160W（mW） 数据列表STP10NK80Z/FP, STW10NK80Z产品相片TO-247 Pkg产品目录绘图ST Series TO-247标准包装30类别分离式半导体产品家庭MOSFET，GaNFET - 单系列SuperMESH™FET 型MOSFET N 通道，...
FCX591ATA 功率三极管
信息内容：品牌/商标 ZETEX 型号/规格 FCX591ATA 应用范围 功率 功率特性 中功率 频率特性 高频 极性 NPN型 结构 面接触型 材料 硅(Si) 封装形式 SOT89 封装材料 塑料封装 截止频率fT 15（MHz） 集电极允许电流ICM 1（A） 集电极耗散功率PCM 1（W） 营销方式 代理 产品性质 热销
