品牌/商标 | ST意法半导体 | 型号/规格 | STW10NK80Z |
种类 | 绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型 | N沟道 |
导电方式 | 增强型 | 用途 | MIN/微型 |
封装外形 | P-DIT/塑料双列直插 | 材料 | N-FET硅N沟道 |
开启电压 | 800(V) | 夹断电压 | 4.0(V) |
低频跨导 | 2(μS) | 极间电容 | 2(pF) |
低频噪声系数 | 2(dB) | 漏极电流 | 9A(mA) |
耗散功率 | 160W(mW) |
STP10NK80Z/FP, STW10NK80Z |
TO-247 Pkg |
ST Series TO-247 |
30 |
分离式半导体产品 |
MOSFET,GaNFET - 单 |
SuperMESH™ |
MOSFET N 通道,金属氧化物 |
标准型 |
900 毫欧 @ 4.5A, 10V |
800V |
9A |
4.5V @ 100µA |
72nC @ 10V |
2180pF @ 25V |
160W |
通孔 |
TO-247-3 |
管件 |
* |
1492 (CN2010-11 Interactive) 1492 (CN2010-11 PDF) |
497-8004-KIT-ND- KIT MOSFET THRU HOLE 9VAL 5EA |
497-3254-5 |
品牌/商标 ZETEX 型号/规格 FCX591ATA 应用范围 功率 功率特性 中功率 频率特性 高频 极性 NPN型 结构 面接触型 材料 硅(Si) 封装形式 SOT89 封装材料 塑料封装 截止频率fT 15(MHz) 集电极允许电流ICM 1(A) 集电极耗散功率PCM 1(W) 营销方式 代理 产品性质 热销
品牌/商标 IR美国国际整流器公司 型号/规格 IRFB31N20DPBF 种类 结型(JFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 用途 D-G双栅四极 封装外形 P-DIT/塑料双列直插 材料 N-FET硅N沟道 开启电压 200(V) 夹断电压 200(V) 极间电容 10(pF) 低频噪声系数 10(dB) 漏极电流 3100(mA) 耗散功率 250(mW) 規格書IRFB31N20DPbF, IRFS(L)31N20DPbF產品相片TO-220AB Pkg產品目錄繪圖IR Hexfet TO-220AB標準包裝50類別離散半導體產品家庭MOSFET,GaNFET - 單系列HEXFET®FET型MOSFET N通道,金屬氧化物FET特點標準開態Rds()@ Id, Vgs @ 25° C82 毫...