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STW10NK80Z增强型MOS管N沟道,进口原装

价 格: 面议
品牌:ST意法半导体
型号:STW10NK80Z

品牌/商标 ST意法半导体 型号/规格 STW10NK80Z
种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道
导电方式 增强型 用途 MIN/微型
封装外形 P-DIT/塑料双列直插 材料 N-FET硅N沟道
开启电压 800(V) 夹断电压 4.0(V)
低频跨导 2(μS) 极间电容 2(pF)
低频噪声系数 2(dB) 漏极电流 9A(mA)
耗散功率 160W(mW)

数据列表产品相片产品目录绘图标准包装类别家庭系列FET 型FET 特点开态Rds()@ Id, Vgs @ 25° C漏极至源极电压(Vdss)电流 - 连续漏极(Id) @ 25° CId 时的 Vgs(th)()闸电荷(Qg) @ Vgs在 Vds 时的输入电容(Ciss)功率 - 安装类型封装/外壳包装供应商设备封装产品目录页面工具箱其它名称
STP10NK80Z/FP, STW10NK80Z
TO-247 Pkg
ST Series TO-247
30
分离式半导体产品
MOSFET,GaNFET - 单
SuperMESH™
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标准型
900 毫欧 @ 4.5A, 10V
800V
9A
4.5V @ 100µA
72nC @ 10V
2180pF @ 25V
160W
通孔
TO-247-3
管件
*
1492 (CN2010-11 Interactive)
1492 (CN2010-11 PDF)
497-8004-KIT-ND- KIT MOSFET THRU HOLE 9VAL 5EA
497-3254-5

深圳市长亮源科技有限公司
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