IRFB31N20DPBF结型场效应管N沟道
| 价 格： | 3.75 | |
| 品牌： | IR美国国际整流器公司 | |
| 型号： | IRFB31N20DPBF |
| 品牌/商标 | IR美国国际整流器公司 | 型号/规格 | IRFB31N20DPBF |
| 种类 | 结型(JFET) | 沟道类型 | N沟道 |
| 导电方式 | 增强型 | 用途 | D-G双栅四极 |
| 封装外形 | P-DIT/塑料双列直插 | 材料 | N-FET硅N沟道 |
| 开启电压 | 200（V） | 夹断电压 | 200（V） |
| 极间电容 | 10（pF） | 低频噪声系数 | 10（dB） |
| 漏极电流 | 3100（mA） | 耗散功率 | 250（mW） |
| IRFB31N20DPbF, IRFS(L)31N20DPbF |
| TO-220AB Pkg |
| IR Hexfet TO-220AB |
| 50 |
| 離散半導體產品 |
| MOSFET，GaNFET - 單 |
| HEXFET® |
| MOSFET N通道，金屬氧化物 |
| 標準 |
| 82 毫歐姆 @ 18A, 10V |
| 200V |
| 31A |
| 5.5V @ 250µA |
| 107nC @ 10V |
| 2370pF @ 25V |
| 3.1W |
| 通孔 |
| TO-220-3 |
| 管裝 |
| TO-220AB |
| *IRFB31N20DPBF |
- 所属城市：广东 深圳
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RF830 500V 4.5A 74W 场效应管
信息内容：品牌/商标 IR 型号/规格 IRF830PBF 封装 TO-220AB 批号 2010+ 营销方式 现货 产品性质 热销 处理信号 模拟信号 制作工艺 半导体集成 导电类型 双极型 集成程度 中规模 规格尺寸 3.9（mm） 工作温度 -40~125（℃） 静态功耗 2500（mW） 类型 其他IC
增强型MOS管P沟道 IRLML5103TRPBF
信息内容：品牌/商标 InterFET美国 型号/规格 IRLML5103TRPBF 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 P沟道 导电方式 增强型 用途 DUAL/配对管 封装外形 SMD(SO)/表面封装 材料 P-FET硅P沟道 开启电压 30（V） 夹断电压 3（V） 低频跨导 3（μS） 极间电容 3（pF） 低频噪声系数 3（dB） 漏极电流 760（mA） 耗散功率 540（mW）
