RF830 500V 4.5A 74W 场效应管
| 价 格： | 2.10 | |
| 品牌： | IR | |
| 型号： | IRF830PBF |
| 品牌/商标 | IR | 型号/规格 | IRF830PBF |
| 封装 | TO-220AB | 批号 | 2010+ |
| 营销方式 | 现货 | 产品性质 | 热销 |
| 处理信号 | 模拟信号 | 制作工艺 | 半导体集成 |
| 导电类型 | 双极型 | 集成程度 | 中规模 |
| 规格尺寸 | 3.9（mm） | 工作温度 | -40~125（℃） |
| 静态功耗 | 2500（mW） | 类型 | 其他IC |
- 所属城市：广东 深圳
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增强型MOS管P沟道 IRLML5103TRPBF
信息内容：品牌/商标 InterFET美国 型号/规格 IRLML5103TRPBF 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 P沟道 导电方式 增强型 用途 DUAL/配对管 封装外形 SMD(SO)/表面封装 材料 P-FET硅P沟道 开启电压 30（V） 夹断电压 3（V） 低频跨导 3（μS） 极间电容 3（pF） 低频噪声系数 3（dB） 漏极电流 760（mA） 耗散功率 540（mW）
STF13NK50Z 结型场效应管
信息内容：品牌/商标 ST意法半导体 型号/规格 STF13NK50Z 种类 结型(JFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 用途 D/变频换流 封装外形 P-DIT/塑料双列直插 材料 N-FET硅N沟道 开启电压 500（V） 夹断电压 4.5（V） 低频跨导 5（μS） 极间电容 5（pF） 低频噪声系数 13（dB） 漏极电流 11A（mA） 耗散功率 30W（mW） 数据列表STF13NK50Z, STP13NK50Z, STW13NK50Z产品相片TO-220FP Pkg产品目录绘图ST Series TO-220FP, TO-3PF标准包装50类别分离式半导体产品家庭MOSFET，GaNFET - 单系列SuperMESH™...
