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原装MBR20100CTKPBF
信息内容：品牌/商标 IR 型号/规格 MBR20100CTKPBF 种类 结型(JFET) 沟道类型 P沟道 导电方式 增强型 用途 HF/高频(射频)放大 封装外形 WAFER/裸芯片 材料 P-FET硅P沟道 原装现货描述二极管配置:共阴极二极管类型:Schottky电压, Vrrm:100V电流, If 平均:20A正向电压 Vf :800mV电流, Ifs :850A工作温度范围:-65°C 到 +150°C封装形式:TO-220针脚数:3封装类型:TO-220封装类型, 替代:SOT-78B结温, Tj :150°C表面安装器件:表面安装正向电压, 于If:800mV正向电流 If:10A电流, Ifsm:850A
原装40TPS12APBF
信息内容：品牌/商标 IR 型号/规格 40TPS12APBF 种类 结型(JFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 用途 HF/高频(射频)放大 封装外形 WAFER/裸芯片 材料 N-FET硅N沟道 现货批发原装进口IC，欢迎查询订购产品种类:SCRs RoHS:dzsc/18/6295/18629550.gif 详细信息转折电流 IBO:600 A 额定重复关闭状态电压 VDRM:1200 V关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDRM 下）:0.5 mA 正向电压下降:1.85 V栅触发电压 (Vgt):2.5 V 栅极峰值反向电压:10 V栅触发电流 (Igt):40 mA 保持电流（Ih 值）:150 mA安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:TO-247AC封装:Tube
