让卖家找上门
发布询价>>
您所在的位置:仪器仪表网> 电子元器件>原装40TPS12APBF

原装40TPS12APBF

价 格: 1.00

品牌/商标 IR 型号/规格 40TPS12APBF
种类 结型(JFET) 沟道类型 N沟道
导电方式 增强型 用途 HF/高频(射频)放大
封装外形 WAFER/裸芯片 材料 N-FET硅N沟道

现货批发原装进口IC,欢迎查询订购

产品种类:SCRs
 

 

RoHS:dzsc/18/6295/18629550.gif 详细信息
转折电流 IBO:600 A
 

 

额定重复关闭状态电压 VDRM:1200 V
关闭状态漏泄电流(在 VDRM IDRM 下):0.5 mA
 

 

正向电压下降:1.85 V
栅触发电压 (Vgt):2.5 V
 

 

栅极峰值反向电压:10 V
栅触发电流 (Igt):40 mA
 

 

保持电流(Ih 值):150 mA
安装风格:Through Hole
 

 

封装 / 箱体:TO-247AC
封装:Tube

深圳市新源江贸易有限公司
公司信息未核实
  • 所属城市:广东 深圳
  • [联系时请说明来自维库仪器仪表网]
  • 联系人: 李俊龙
  • 电话:0755-83957788
  • 传真:0755-83957788
  • 手机:
  • QQ :
公司相关产品

1N5257B原装稳压二极管

信息内容:

产品类型 稳压管 品牌/商标 ON/FAIRCHIL 型号/规格 1N5257B 材料 锗(Ge) 封装形式 功率型 封装材料 树脂封装 功率特性 大功率 频率特性 高频 发光颜色 电压控制 LED封装 有色透明(C) 出光面特征 微型管 发光强度角分布 标准型 现货批发原装进口IC,欢迎查询订购产品种类:稳压二极管 RoHS:dzsc/18/6295/18629551.gif详细信息齐纳电压:33 V 电压容差:5 %电压温度系数:0.092 % / C 齐纳电流:3.8 mA功率耗散:500 mW 反向漏泄电流:0.1 uA齐纳阻抗:58 Ohms 工作温度:+ 200 C安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:DO-35封装:Bulk 最小工作温度:- 65 C

详细内容>>

原装2SK2691场效应管

信息内容:

品牌/商标 FUJI 型号/规格 2SK2691 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 用途 DIFF/差分放大 封装外形 SP/特殊外形 材料 GE-N-FET锗N沟道 原装现货,欢迎查询品种类:MOSFET 功率 RoHS:dzsc/18/6295/18629552.gif 详细信息配置:Single 晶体管极性:N-Channel电阻汲极/源极 RDS(导通):1.4 Ohms 汲极/源极击穿电压:900 V闸/源击穿电压:30 V 漏极连续电流:9 A功率耗散:150 W 安装风格:Through Hole封装 / 箱体:TO-3PN 封装:TubeStandard Pack Qty:50

详细内容>>

相关产品