原装2SK2691场效应管
| 价 格： | 1.00 |
| 品牌/商标 | FUJI | 型号/规格 | 2SK2691 |
| 种类 | 绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型 | N沟道 |
| 导电方式 | 增强型 | 用途 | DIFF/差分放大 |
| 封装外形 | SP/特殊外形 | 材料 | GE-N-FET锗N沟道 |
原装现货，欢迎查询
| 品种类: | MOSFET 功率 |
| RoHS: | dzsc/18/6295/18629552.gif 详细信息 |
| 配置: | Single |
| 晶体管极性: | N-Channel |
| 电阻汲极/源极 RDS（导通）: | 1.4 Ohms |
| 汲极/源极击穿电压: | 900 V |
| 闸/源击穿电压: | 30 V |
| 漏极连续电流: | 9 A |
| 功率耗散: | 150 W |
| 安装风格: | Through Hole |
| 封装 / 箱体: | TO-3PN |
| 封装: | Tube |
| Standard Pack Qty: | 50 |
- 所属城市：广东 深圳
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原装6CWQ03FN结型场效应管N沟道
信息内容：品牌/商标 IR 型号/规格 6CWQ03FN 种类 结型(JFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 用途 DC/直流 封装外形 WAFER/裸芯片 材料 GE-N-FET锗N沟道 现货批发原装进口IC，欢迎查询订购产品种类:肖特基（二极管与整流器） RoHS:否产品:Schottky Rectifiers 峰值反向电压:30 V正向连续电流:3.5 A 浪涌电流:535 A配置:Dual Common Cathode 正向电压下降:0.52 V at 6 A反向漏泄电流:2000 uA 工作温度范围:- 40 C to + 150 C安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:DPAK (TO-252AA)
原装IRLZ44NPBF场效应管
信息内容：品牌/商标 IR 型号/规格 IRLZ44NPBF 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 耗尽型 用途 L/功率放大 封装外形 WAFER/裸芯片 材料 GE-N-FET锗N沟道 现货批发原装进口IC，量大订货2-3周,欢迎查询订购配置:Single晶体管极性:N-Channel 电阻汲极/源极 RDS（导通）:22 m Ohms正向跨导 gFS（值/最小值）:21 S 汲极/源极击穿电压:55 V闸/源击穿电压:+/- 16 V 漏极连续电流:41 A功率耗散:110 W 工作温度:+ 175 C安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:TO-220AB
