原装MBR20100CTKPBF
| 价 格： | 1.00 |
| 品牌/商标 | IR | 型号/规格 | MBR20100CTKPBF |
| 种类 | 结型(JFET) | 沟道类型 | P沟道 |
| 导电方式 | 增强型 | 用途 | HF/高频(射频)放大 |
| 封装外形 | WAFER/裸芯片 | 材料 | P-FET硅P沟道 |
原装现货
描述- 二极管配置:共阴极
- 二极管类型:Schottky
- 电压, Vrrm:100V
- 电流, If 平均:20A
- 正向电压 Vf :800mV
- 电流, Ifs :850A
- 工作温度范围:-65°C 到 +150°C
- 封装形式:TO-220
- 针脚数:3
- 封装类型:TO-220
- 封装类型, 替代:SOT-78B
- 结温, Tj :150°C
- 表面安装器件:表面安装
- 正向电压, 于If:800mV
- 正向电流 If:10A
- 电流, Ifsm:850A
- 所属城市：广东 深圳
- [联系时请说明来自维库仪器仪表网]
- 联系人： 李俊龙
- 电话：0755-83957788
- 传真：0755-83957788
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原装40TPS12APBF
信息内容：品牌/商标 IR 型号/规格 40TPS12APBF 种类 结型(JFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 用途 HF/高频(射频)放大 封装外形 WAFER/裸芯片 材料 N-FET硅N沟道 现货批发原装进口IC，欢迎查询订购产品种类:SCRs RoHS:dzsc/18/6295/18629550.gif 详细信息转折电流 IBO:600 A 额定重复关闭状态电压 VDRM:1200 V关闭状态漏泄电流（在 VDRM IDRM 下）:0.5 mA 正向电压下降:1.85 V栅触发电压 (Vgt):2.5 V 栅极峰值反向电压:10 V栅触发电流 (Igt):40 mA 保持电流（Ih 值）:150 mA安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:TO-247AC封装:Tube
1N5257B原装稳压二极管
信息内容：产品类型 稳压管 品牌/商标 ON/FAIRCHIL 型号/规格 1N5257B 材料 锗(Ge) 封装形式 功率型 封装材料 树脂封装 功率特性 大功率 频率特性 高频 发光颜色 电压控制 LED封装 有色透明(C) 出光面特征 微型管 发光强度角分布 标准型 现货批发原装进口IC，欢迎查询订购产品种类:稳压二极管 RoHS:dzsc/18/6295/18629551.gif详细信息齐纳电压:33 V 电压容差:5 %电压温度系数:0.092 % / C 齐纳电流:3.8 mA功率耗散:500 mW 反向漏泄电流:0.1 uA齐纳阻抗:58 Ohms 工作温度:+ 200 C安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:DO-35封装:Bulk 最小工作温度:- 65 C
