品牌/商标 | FUJI | 型号/规格 | 2SK2640 |
种类 | 结型(JFET) | 沟道类型 | P沟道 |
导电方式 | 增强型 | 用途 | A/宽频带放大 |
封装外形 | WAFER/裸芯片 | 材料 | GE-P-FET锗P沟道 |
现货批发原装进口IC,量大发货2周左右,欢迎查询订购
产品种类: | MOSFET 功率 |
RoHS: | dzsc/18/6291/18629102.gif 详细信息 |
配置: | Single |
晶体管极性: | N-Channel |
电阻汲极/源极 RDS(导通): | 1.2 Ohms |
汲极/源极击穿电压: | 800 V |
闸/源击穿电压: | +/- 30 V |
漏极连续电流: | 8 A |
功率耗散: | 85 W |
工作温度: | + 150 C |
安装风格: | Through Hole |
封装 / 箱体: | TO-3P(N)IS |
封装: | Bulk |
最小工作温度: | - 55 C |
品牌/商标 ST 型号/规格 HCF4051M013TR 封装 SOP 批号 09+ 类型 其他IC 现货批发原装进口IC,量大订货2-3周,欢迎查询订购通道数量:1 Channel 开启电阻(值):1050 Ohms传播延迟时间:60 ns 开启时间(值):720 ns关闭时间(值):450 ns 电源电压(值):20 V电源电压(最小值):3 V 功率耗散:200 mW工作温度:+ 125 C 最小工作温度:- 55 C封装 / 箱体:SOIC-16 封装:Reel安装风格:SMD/SMT 线路数量(输入/输出):8 / 1开关数量:1
品牌/商标 IR 型号/规格 40CPQ060PBF 种类 结型(JFET) 沟道类型 P沟道 导电方式 增强型 用途 A/宽频带放大 封装外形 SP/特殊外形 材料 GE-P-FET锗P沟道