供应 场效应管 AO3423,AO3415,AO3407
| 价 格： | 面议 | |
| 型号/规格： | AO3423,P,MOS,SOT-23,-20V,-2A | |
| 品牌/商标： | AO | |
| 封装形式： | SOT-23 | |
| 环保类别： | 无铅环保型 | |
| 安装方式： | 贴片式 | |
| 包装方式： | 3000/盘 | |
| 功率特征： | 小功率 |
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MOS管，广泛应用于电池充电器，普通电源，智能开关电源，灯具
功率开关，LED，车载，玩具，电动车，电脑主板.
20V场效应管（MOSFET）：
2SK3639-ZK-E1 SMD/MOS NEC SOT-252 N场 20V 64A
AO6408L SMD/MOS AO TSOP-6 N场 20V 8.8A
AO6702 SMD/MOS AO TSOP-6 N场 20V 3.8A
AO6702L SMD/MOS AO TSOP-6 N场 20V 3.8A
AP9918H SMD/MOS AP/富鼎 SOT-252 N场 20V 45A
BSL202SN SMD/MOS infineon TSOP-6 N场 20V 7.5A
IRF3704STRR SMD/MOS IR SOT-263 N场 20V 77A
IRF3711STRR SMD/MOS IR SOT-263 N场 20V 110A
IRF7456TRPBF SMD/MOS IR SOP-8 N场 20V 16A
IRFR3704 SMD/MOS IR SOT-252 N场 20V 75A
IRFR3711Z SMD/MOS IR SOT-252 N场 20V 93A
IRFU3706TRL-701 SMD/MOS IR 252三脚反贴 N场 20V 75A
IRL3102STRL SMD/MOS IR SOT-263 N场 20V 61A
IRL3715STRL SMD/MOS IR SOT-263 N场 20V 54A
IRL3715ZCS SMD/MOS IR SOT-263 N场 20V 50A
IRLR3711Z SMD/MOS IR SOT-252 N场 20V 93A
IRLR3715Z SMD/MOS IR SOT-252 N场 20V 49A
PFXD2016 SMD/MOS 达晶 SOT-252 N场 20V 0A
SI2300 SMD/MOS 中性 SOT-23 N场 20V 6A
SI2302 SMD/MOS 中性 SOT-23 N场 20V 3A
SI4500DY-T1-E3 SMD/MOS VISHAY SOP-8 N+P场 20V 7A
TPCS8208 SMD/MOS TOSHIBA TSSOP-8 双N 20V 6A
TPCS8210 SMD/MOS TOSHIBA TSSOP-8 双N 20V 5A
IRF3706PBF菲律宾 DIP/MOS IR TO-220 N场 20V 77A
IRLU3715 DIP/MOS IR TO-251 N场 20V 54A
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供应 场效应管 AO4405 , AO4403 ,4405,4403
信息内容：产品型号:AO4405 源漏极间雪崩电压VDSS(V):-30 源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.05 漏极电流Id(on)(A):-6 通道极性:P沟道 封装/温度(℃):SOP-8/-55 ~150 描述:-30V -6A功率MOSFET 如需了解更多的产品信息:1、直接与我司工作人员联系!2、登陆我站:http://www.chinajincheng.com3、TEL：40062626664、Q Q：4006262666(产品图片,产品参数,产品PDF等产品相关信息在线了解\查询\下载.) 产品型号:AO4403 源漏极间雪崩电压VDSS(V):-30 源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.046 漏极电流Id(on)(A):-6.1A 通道极性:P沟道 封装/温度(℃):SOP-8/-55 ~150 描述:-30V -6.1A功率MOSFET
供应 场效应管 CEM9410,AP4410M,4410M,AP4410
信息内容：产品型号:CEM9410 源漏极间雪崩电压VDSS(V):30 源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.03 漏极电流Id(on)(A):7 通道极性:N沟道 封装/温度(℃):SOP-8/-55 ~150 描述:30V 7A功率MOSFET 如需了解更多的产品信息:1、直接与我司工作人员联系!2、登陆我站:http://www.chinajincheng.com3、TEL：40062626664、Q Q：4006262666(产品图片,产品参数,产品PDF等产品相关信息在线了解\查询\下载.) 产品型号:AP4410M 源漏极间雪崩电压VDSS(V):30 源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.0135 漏极电流Id(on)(A):10A 通道极性:N沟道 封装/温度(℃):SOP-8/-55 ~150 描述:30V 10A功率MOSFET
