供应 场效应管 AO3416,AGSA,AP2306N
| 价 格： | 面议 | |
| 型号/规格： | AO3416 | |
| 品牌/商标： | AO | |
| 封装形式： | SOT-23 | |
| 环保类别： | 无铅环保型 | |
| 安装方式： | 贴片式 | |
| 包装方式： | 3000/盘 | |
| 功率特征： | |
产品型号:AO3416
源漏极间雪崩电压VDSS(V):20
源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.022
漏极电流Id(on)(A):6.5
通道极性:N沟道
封装/温度(℃):SOT-23/-55 ~150
描述:20V 6.5A功率
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产品型号:AO4918
源漏极间雪崩电压VDSS(V):30
源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.0145
漏极电流Id(on)(A):9.3A
通道极性:双N沟道
封装/温度(℃):SOP-8/-55 ~150
描述:30V 9.3A功率
- 所属城市：广东 深圳
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供应 场效应管 AO3423,AO3415,AO3407
信息内容：<友情提示>具体价格视当天市场行情而定.买家请通过电话或贸易通在线联系，以确定当日市场价格。以免造成双方的误会与纠纷，谢谢您！全新!价格优惠!现货供应!MOS管，广泛应用于电池充电器，普通电源，智能开关电源，灯具功率开关，LED，车载，玩具，电动车，电脑主板.20V场效应管（MOSFET）：2SK3639-ZK-E1 SMD/MOS NEC SOT-252 N场 20V 64AAO6408L SMD/MOS AO TSOP-6 N场 20V 8.8AAO6702 SMD/MOS AO TSOP-6 N场 20V 3.8AAO6702L SMD/MOS AO TSOP-6 N场 20V 3.8AAP9918H SMD/MOS AP/富鼎 SOT-252 N场 20V 45ABSL202SN SMD/MOS infineon TSOP-6 N场 20V 7.5AIRF3704STRR SMD/MOS IR SOT-263 N场 20V 77AIRF3711STRR SMD/MOS IR SOT-263 N场 20V 110AIRF7456TRPBF SMD/MOS IR SOP-8 N场 20V 16AIRFR3704 SMD/MOS IR SOT-252 N场 20V 75AIRFR3711Z SMD/MOS IR SOT-252 N场 20V 93AIRFU3706TRL-701 SMD/MOS IR 252三脚反贴 N场 20V 75AIRL3102STRL SMD/MOS IR SOT-263 N场 20V 61AIRL3715STRL SMD/MOS IR SOT-263 N场 20V 54AIRL3715ZCS SMD/MOS IR SOT-263 N场 20V 50AIRLR3711Z SMD/MOS IR SOT-252 N场 20V 93AIRLR3715Z SMD/MOS IR SOT-252 N场 20V 49APFXD2016 SMD/M...
供应 场效应管 AO4405 , AO4403 ,4405,4403
信息内容：产品型号:AO4405 源漏极间雪崩电压VDSS(V):-30 源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.05 漏极电流Id(on)(A):-6 通道极性:P沟道 封装/温度(℃):SOP-8/-55 ~150 描述:-30V -6A功率MOSFET 如需了解更多的产品信息:1、直接与我司工作人员联系!2、登陆我站:http://www.chinajincheng.com3、TEL：40062626664、Q Q：4006262666(产品图片,产品参数,产品PDF等产品相关信息在线了解\查询\下载.) 产品型号:AO4403 源漏极间雪崩电压VDSS(V):-30 源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.046 漏极电流Id(on)(A):-6.1A 通道极性:P沟道 封装/温度(℃):SOP-8/-55 ~150 描述:-30V -6.1A功率MOSFET
