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供应PNP三极管 KTB1370 B1370 -80V -7A

价 格: 面议
型号/规格:KTB1370 KEC TO-220 06NPB DIP/三极管 PNP -80V -7A
品牌/商标:KEC
封装形式:TO-220
环保类别:无铅环保型
安装方式:直插式
包装方式:1K/盒
功率特性:中功率
频率特性:高频
极性:NPN型

 

产品型号:AOD472A

源漏极间雪崩电压VDSS(V):25

源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.006

漏极电流Id(on)(A):50

通道极性:N沟道


封装/温度(℃):SOT-252/-55 ~150


描述:25V 50A功率
MOSFET

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产品型号:AOD448

源漏极间雪崩电压VDSS(V):30

源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.005

漏极电流Id(on)(A):75A

通道极性:N沟道


封装/温度(℃):SOT-252/-55 ~150


描述:30V 75A功率
MOSFET

深圳市金城微零件有限公司
公司信息未核实
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供应 场效应管 AON5802 , AON5800 ,5802, 5800

信息内容:

产品型号:AON5800 源漏极间雪崩电压VDSS(V):20 源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.016 漏极电流Id(on)(A):8 通道极性:双N封装/温度(℃):DFN 5*2/-55 ~150 描述:25V 50A功率MOSFET 如需了解更多的产品信息:1、直接与我司工作人员联系!2、登陆我站:http://www.chinajincheng.com3、TEL:40062626664、Q Q:4006262666(产品图片,产品参数,产品PDF等产品相关信息在线了解\查询\下载.) 产品型号:AOD448 源漏极间雪崩电压VDSS(V):30 源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.005 漏极电流Id(on)(A):75A 通道极性:N沟道 封装/温度(℃):SOT-252/-55 ~150 描述:30V 75A功率MOSFET

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供应 场效应管 AON6200L , AON6200 , 6200

信息内容:

产品型号:AON6200L 源漏极间雪崩电压VDSS(V):30 源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.0078 漏极电流Id(on)(A):24 通道极性:N沟道 封装/温度(℃):DFN 5*6/-55 ~150 描述:30V 24A功率MOSFET 如需了解更多的产品信息:1、直接与我司工作人员联系!2、登陆我站:http://www.chinajincheng.com3、TEL:40062626664、Q Q:4006262666(产品图片,产品参数,产品PDF等产品相关信息在线了解\查询\下载.) 产品型号:AOD448 源漏极间雪崩电压VDSS(V):30 源漏极导通电阻rDS(on)(Ω):0.005 漏极电流Id(on)(A):75A 通道极性:N沟道 封装/温度(℃):SOT-252/-55 ~150 描述:30V 75A功率MOSFET

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