场效应三极管 FQPF10N60C
| 价 格： | 2.50 |
| 品牌/商标 | Fairchild | 型号/规格 | FQPF10N60C |
| 种类 | 绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型 | N沟道 |
| 导电方式 | 增强型 | 用途 | SW-REG/开关电源 |
| 材料 | N-FET硅N沟道 | 开启电压 | 2-4（V） |
| 夹断电压 | 0（V） | 低频跨导 | 8S（μS） |
| 极间电容 | 1570（pF） | 漏极电流 | 9500（mA） |
| 耗散功率 | 50000（mW） |
- 所属城市：广东 深圳
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贴片场效应三极管IRFR9120
信息内容：品牌/商标 IR 型号/规格 IRFR9120 封装 TO-252/DPAK 极限电压 100（V） 极限电流 6.6（A） 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 P沟道 類別 離散半導體產品家庭 MOSFET - 單安裝類型 表面黏著式FET型 P通道漏極至源極的電壓(Vdss) 100V電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C 6.6A開態Rds（）@ Id, Vgs @ 25° C 480毫歐姆@ 3.9A，10V 輸入電容(Ciss)@Vds 350pF @ 25V功率 - 40W封裝 編帶和捲軸封裝(TR) 閘電流(Qg) @ Vgs 27nC @ 10V封裝/外殼 DPak (TO-252)閘極至源極的電壓（Vgs） 20V
贴片场效应三极管IRFR9110
信息内容：品牌/商标 IR 型号/规格 IRFR9110 封装 TO-252/DPAK 极限电压 100（V） 极限电流 3.1（A） 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 P沟道 导电方式 增强型 類別 離散半導體產品家庭 MOSFET - 單安裝類型 表面黏著式FET型 P通道漏極至源極的電壓(Vdss) 100V電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C 3.1A開態Rds（）@ Id, Vgs @ 25° C 1.2歐姆@ 1.9A，10V輸入電容(Ciss)@Vds 200pF @ 25V功率 - 25W封裝 編帶和捲軸封裝(TR) 閘電流(Qg) @ Vgs 8.7nC @ 10V封裝/外殼 DPak (TO-252)閘極至源極的電壓（Vgs） 20V
