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贴片场效应三极管IRFR9110

价 格: 650.00

品牌/商标 IR 型号/规格 IRFR9110
封装 TO-252/DPAK 极限电压 100(V)
极限电流 3.1(A) 种类 绝缘栅(MOSFET)
沟道类型 P沟道 导电方式 增强型

類別 離散半導體產品

家庭 MOSFET - 單

安裝類型 表面黏著式

FET型 P通道

漏極至源極的電壓(Vdss) 100V

電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C 3.1A

開態Rds()@ Id, Vgs @ 25° C 1.2歐姆@ 1.9A,10V

輸入電容(Ciss)@Vds 200pF @ 25V

功率 - 25W

封裝 編帶和捲軸封裝(TR) 閘電流(Qg) @ Vgs 8.7nC @ 10V

封裝/外殼 DPak (TO-252)

閘極至源極的電壓(Vgs) 20V

深圳市福田区华强广场新原电子销售部
公司信息未核实
  • 所属城市:广东 深圳
  • [联系时请说明来自维库仪器仪表网]
  • 联系人: 欧阳立
  • 电话:755-83200113
  • 传真:755-83200113
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贴片场效应三极管IRFR3707

信息内容:

品牌/商标 IR 型号/规格 IRFR3707 封装 TO-252/DAPK 极限电压 30(V) 极限电流 56(A) 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 類別 離散半導體產品家庭 MOSFET - 單安裝類型 表面黏著式FET型 N通道漏極至源極的電壓(Vdss) 30V電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C 56A開態Rds()@ Id, Vgs @ 25° C 9.5毫歐姆@ 15A,10V輸入電容(Ciss)@Vds 1150pF @ 15V功率 - 50W封裝 編帶和捲軸封裝(TR)閘電流(Qg) @ Vgs 14nC @ 4.5V封裝/外殼 DPak (TO-252)閘極至源極的電壓(Vgs) 20V

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塑封肖特基二极管 MBRF20100CT/MBRF20100

信息内容:

产品类型 肖特基管 品牌/商标 NAMC 型号/规格 MBR20100FCT 结构 肖特基 材料 硅(Si) 封装形式 直插型 封装材料 树脂封装 功率特性 中功率 频率特性 高频 反向电压VR 100(V) 正向直流电流IF 20(A) 肖特基二极管 2X10A 100V描述二极管类型:肖特基式电压, Vrrm:100V电流, If 平均:10A正向电压 Vf :850mV电流, Ifs :150A封装形式:TO-220针脚数:3SVHC(高度关注物质):No SVHC (15-Dec-2010)器件标记:MBRF20100CT封装类型:TO-220封装式样封装类型, 替代:TO-220FP电流, If @ Vf:10A电流, Ifsm:150A表面安装器件:表面安装

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