品牌/商标 | IR | 型号/规格 | IRFR9120 |
封装 | TO-252/DPAK | 极限电压 | 100(V) |
极限电流 | 6.6(A) | 种类 | 绝缘栅(MOSFET) |
沟道类型 | P沟道 |
類別 離散半導體產品
家庭 MOSFET - 單
安裝類型 表面黏著式
FET型 P通道
漏極至源極的電壓(Vdss) 100V
電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C 6.6A
開態Rds()@ Id, Vgs @ 25° C 480毫歐姆@ 3.9A,10V
輸入電容(Ciss)@Vds 350pF @ 25V
功率 - 40W
封裝 編帶和捲軸封裝(TR)
閘電流(Qg) @ Vgs 27nC @ 10V
封裝/外殼 DPak (TO-252)
閘極至源極的電壓(Vgs) 20V
品牌/商标 IR 型号/规格 IRFR9110 封装 TO-252/DPAK 极限电压 100(V) 极限电流 3.1(A) 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 P沟道 导电方式 增强型 類別 離散半導體產品家庭 MOSFET - 單安裝類型 表面黏著式FET型 P通道漏極至源極的電壓(Vdss) 100V電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C 3.1A開態Rds()@ Id, Vgs @ 25° C 1.2歐姆@ 1.9A,10V輸入電容(Ciss)@Vds 200pF @ 25V功率 - 25W封裝 編帶和捲軸封裝(TR) 閘電流(Qg) @ Vgs 8.7nC @ 10V封裝/外殼 DPak (TO-252)閘極至源極的電壓(Vgs) 20V
品牌/商标 IR 型号/规格 IRFR3707 封装 TO-252/DAPK 极限电压 30(V) 极限电流 56(A) 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 類別 離散半導體產品家庭 MOSFET - 單安裝類型 表面黏著式FET型 N通道漏極至源極的電壓(Vdss) 30V電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C 56A開態Rds()@ Id, Vgs @ 25° C 9.5毫歐姆@ 15A,10V輸入電容(Ciss)@Vds 1150pF @ 15V功率 - 50W封裝 編帶和捲軸封裝(TR)閘電流(Qg) @ Vgs 14nC @ 4.5V封裝/外殼 DPak (TO-252)閘極至源極的電壓(Vgs) 20V