品牌/商标 | FUI日本富士通 | 型号/规格 | 2SK2655,K2655 |
种类 | 结型(JFET) | 沟道类型 | N沟道 |
导电方式 | 耗尽型 | 用途 | DC/直流 |
封装外形 | CER-DIP/陶瓷直插 | 材料 | N-FET硅N沟道 |
开启电压 | 1(V) | 夹断电压 | 1(V) |
低频跨导 | 1(μS) | 极间电容 | 1(pF) |
低频噪声系数 | 1(dB) | 漏极电流 | 1(mA) |
耗散功率 | 1(mW) |
产品主要用于高低压节能灯,应急灯,充电器,逆变器,电子镇流器,适配器,开关电源,控制器,电视机,雾化器,加湿器,防盗器,电子玩具,民用功放,音响,汽车功放,有源音响等
型号 | 电压(V) | 电流(A) | 功率(W) | RDS |
2SK1940 | 600 | 12 | 125 | 0.75 |
2SK1944 | 900 | 5 | 100 | 2.8 |
2SK2655 | 900 | 8 | 100 | 2 |
2SK2765 | 800 | 7 | 125 | 2 |
2SC3318 | 500 | 10 | 80 |
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2SD1049 | 120 | 25 | 80 |
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2SK725 | 500 | 15 | 125 | 0.38 |
品牌/商标 TOS日本东芝 型号/规格 GT50J322,GT50J327 种类 结型(JFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 耗尽型 用途 DC/直流 封装外形 CER-DIP/陶瓷直插 材料 N-FET硅N沟道 开启电压 1000(V) 夹断电压 1000(V) 低频跨导 35(μS) 极间电容 35(pF) 低频噪声系数 35(dB) 漏极电流 50(mA) 耗散功率 280(mW) 供拆机IGBT管GT50J322,GT50J327供拆机IGBT管GT50J322,GT50J327供拆机IGBT管GT50J322,GT50J327供拆机IGBT管GT50J322,GT50J327供拆机IGBT管GT50J322,GT50J327供拆机IGBT管GT50J32...
品牌/商标 进口 型号/规格 104/275V,224/275V,374/275V 介质材料 有机薄膜 应用范围 调谐 外形 方块状 功率特性 大功率 频率特性 超高频 调节方式 固定 引线类型 轴向引出线 允许偏差 ±5(%) 耐压值 275(V) 等效串联电阻(ESR) //(mΩ) 标称容量 /(uF) 损耗 / 额定电压 /(V) 绝缘电阻 /(mΩ) 温度系数 / 现货供应各种规格安规电容器,欢迎订购0.1UF/275V 脚距10MM 环保 供应安规电容2...