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拆机场效应FS10SM-18A,FS10SM-18

价 格: 1.50

品牌/商标 MIT日本三菱 型号/规格 FS10SM-18A
种类 结型(JFET) 沟道类型 N沟道
导电方式 耗尽型 用途 CC/恒流
封装外形 CER-DIP/陶瓷直插 材料 N-FET硅N沟道
开启电压 900(V) 夹断电压 900(V)
低频跨导 1(μS) 极间电容 1(pF)
低频噪声系数 1(dB) 漏极电流 10(mA)
耗散功率 240(mW)

供应拆机场效应管FS10SM-18A

电话:0754-82331186

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王小芸
公司信息未核实
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拆机场效应管2SK2655,K2655

信息内容:

品牌/商标 FUI日本富士通 型号/规格 2SK2655,K2655 种类 结型(JFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 耗尽型 用途 DC/直流 封装外形 CER-DIP/陶瓷直插 材料 N-FET硅N沟道 开启电压 1(V) 夹断电压 1(V) 低频跨导 1(μS) 极间电容 1(pF) 低频噪声系数 1(dB) 漏极电流 1(mA) 耗散功率 1(mW) 产品主要用于高低压节能灯,应急灯,充电器,逆变器,电子镇流器,适配器,开关电源,控制器,电视机,雾化器,加湿器,防盗器,电子玩具,民用功放,音响,汽车功放,有源音响等 型号 电压(...

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供拆机IGBT管GT50J322,GT50J327

信息内容:

品牌/商标 TOS日本东芝 型号/规格 GT50J322,GT50J327 种类 结型(JFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 耗尽型 用途 DC/直流 封装外形 CER-DIP/陶瓷直插 材料 N-FET硅N沟道 开启电压 1000(V) 夹断电压 1000(V) 低频跨导 35(μS) 极间电容 35(pF) 低频噪声系数 35(dB) 漏极电流 50(mA) 耗散功率 280(mW) 供拆机IGBT管GT50J322,GT50J327供拆机IGBT管GT50J322,GT50J327供拆机IGBT管GT50J322,GT50J327供拆机IGBT管GT50J322,GT50J327供拆机IGBT管GT50J322,GT50J327供拆机IGBT管GT50J32...

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