场效应管 FQP5N60C/FQP5N60/5N60
| 价 格： | 1.60 |
| 品牌/商标 | FAIRCHILD | 型号/规格 | FQP5N60C |
| 种类 | 绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型 | N沟道 |
| 导电方式 | 增强型 | 用途 | SW-REG/开关电源 |
| 材料 | N-FET硅N沟道 | 开启电压 | 2-4（V） |
| 夹断电压 | 0（V） | 跨导 | 4.7S（μS） |
| 漏极电流 | 4.5A（mA） | 耗散功率 | 100W（mW） |
標準包裝 1,000
類別 離散半導體產品
家庭 MOSFET - 單
Series QFET
安裝類型 通孔
FET型 N通道
漏極至源極的電壓(Vdss) 600V
電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C 4.5A
開態Rds（）@ Id, Vgs @ 25° C 2.5 歐姆 @ 2.25A, 10V
Vds時的輸入電容(Ciss) 670pF @ 25V
功率 - 100W
封裝 管裝
閘電流(Qg) @ Vgs 19nC @ 10V
封裝/外殼 TO-220
FET特點 標準
其他名稱 FQP5N60C FQP5N60C-ND
- 所属城市：广东 深圳
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- 电话：755-83200113
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场效应管 FQP2N60C/FQP2N60
信息内容：品牌/商标 FAIRCHILD 型号/规格 FQP2N60C 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 用途 SW-REG/开关电源 材料 N-FET硅N沟道 开启电压 2-4（V） 夹断电压 0（V） 漏极电流 2A（mA） 耗散功率 54W（mW） 標準包裝 1,000類別 離散半導體產品家庭 MOSFET - 單Series QFET安裝類型 通孔FET型 N通道漏極至源極的電壓(Vdss) 600V電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C 2A開態Rds（）@ Id, Vgs @ 25° C 4.7 歐姆 @ 1A, 10VVds時的輸入電容(Ciss) 235pF @ 25V功率 - 54W封裝 管裝閘電流(Qg) @ Vgs 12nC @ 10V封裝/外殼 TO-220FET特點 標準其他名稱 FQP2N60C FQP2N60C-ND
场效应 IRLR014/LR014/IRFR014
信息内容：品牌/商标 IR美国国际整流器公司 型号/规格 IRLR014 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 用途 L/功率放大 封装外形 SMD(SO)/表面封装 材料 N-FET硅N沟道 开启电压 1-2（V） 夹断电压 0（V） 低频跨导 3.4S（μS） 极间电容 400（pF） 漏极电流 7700（mA） 耗散功率 25000（mW）
