场效应管 FQP2N60C/FQP2N60
| 价 格： | 1.20 |
| 品牌/商标 | FAIRCHILD | 型号/规格 | FQP2N60C |
| 种类 | 绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型 | N沟道 |
| 导电方式 | 增强型 | 用途 | SW-REG/开关电源 |
| 材料 | N-FET硅N沟道 | 开启电压 | 2-4（V） |
| 夹断电压 | 0（V） | 漏极电流 | 2A（mA） |
| 耗散功率 | 54W（mW） |
標準包裝 1,000
類別 離散半導體產品
家庭 MOSFET - 單
Series QFET
安裝類型 通孔
FET型 N通道
漏極至源極的電壓(Vdss) 600V
電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C 2A
開態Rds（）@ Id, Vgs @ 25° C 4.7 歐姆 @ 1A, 10V
Vds時的輸入電容(Ciss) 235pF @ 25V
功率 - 54W
封裝 管裝
閘電流(Qg) @ Vgs 12nC @ 10V
封裝/外殼 TO-220
FET特點 標準
其他名稱 FQP2N60C FQP2N60C-ND
- 所属城市：广东 深圳
- [联系时请说明来自维库仪器仪表网]
- 联系人： 欧阳立
- 电话：755-83200113
- 传真：755-83200113
- 手机：
- QQ ：
场效应 IRLR014/LR014/IRFR014
信息内容：品牌/商标 IR美国国际整流器公司 型号/规格 IRLR014 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 用途 L/功率放大 封装外形 SMD(SO)/表面封装 材料 N-FET硅N沟道 开启电压 1-2（V） 夹断电压 0（V） 低频跨导 3.4S（μS） 极间电容 400（pF） 漏极电流 7700（mA） 耗散功率 25000（mW）
贴片场效应管 IRFRC20/FRC20
信息内容：品牌/商标 IR 型号/规格 IRFRC20 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 用途 SW-REG/开关电源 材料 N-FET硅N沟道 开启电压 2-4（V） 夹断电压 0（V） 漏极电流 2A（mA） 耗散功率 42W（mW） 類別 離散半導體產品 家庭 MOSFET - 單 安裝類型 表面黏著式 FET型 N通道 漏極至源極的電壓(Vdss) 600V 電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C 2A 開態Rds（）@ Id, Vgs @ 25° C 4.4歐姆@ 1.2A，10V 輸入電容(Ciss)@Vds 350pF @ 25V 功率 - 42W 封裝 編帶和捲軸封裝(TR) 閘電流(Qg) @ Vgs 18nC @ 10V 封裝/外殼 DPak (TO-252) 閘極至源極的電壓（Vgs） 20V
