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场效应 IRLR014/LR014/IRFR014

价 格: 0.90

品牌/商标 IR美国国际整流器公司 型号/规格 IRLR014
种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道
导电方式 增强型 用途 L/功率放大
封装外形 SMD(SO)/表面封装 材料 N-FET硅N沟道
开启电压 1-2(V) 夹断电压 0(V)
低频跨导 3.4S(μS) 极间电容 400(pF)
漏极电流 7700(mA) 耗散功率 25000(mW)

深圳市福田区华强广场新原电子销售部
公司信息未核实
  • 所属城市:广东 深圳
  • [联系时请说明来自维库仪器仪表网]
  • 联系人: 欧阳立
  • 电话:755-83200113
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贴片场效应管 IRFRC20/FRC20

信息内容:

品牌/商标 IR 型号/规格 IRFRC20 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 用途 SW-REG/开关电源 材料 N-FET硅N沟道 开启电压 2-4(V) 夹断电压 0(V) 漏极电流 2A(mA) 耗散功率 42W(mW) 類別 離散半導體產品 家庭 MOSFET - 單 安裝類型 表面黏著式 FET型 N通道 漏極至源極的電壓(Vdss) 600V 電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C 2A 開態Rds()@ Id, Vgs @ 25° C 4.4歐姆@ 1.2A,10V 輸入電容(Ciss)@Vds 350pF @ 25V 功率 - 42W 封裝 編帶和捲軸封裝(TR) 閘電流(Qg) @ Vgs 18nC @ 10V 封裝/外殼 DPak (TO-252) 閘極至源極的電壓(Vgs) 20V

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特价直插场效应管 IRF640/IRF640B 可代替IRF640N

信息内容:

品牌/商标 国产 型号/规格 IRF640 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 用途 SW-REG/开关电源 材料 N-FET硅N沟道 开启电压 2-4(V) 夹断电压 0(V) 漏极电流 18A(mA) 耗散功率 125W(mW)

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