品牌/商标 | IR美国国际整流器公司 | 型号/规格 | IRLR014 |
种类 | 绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型 | N沟道 |
导电方式 | 增强型 | 用途 | L/功率放大 |
封装外形 | SMD(SO)/表面封装 | 材料 | N-FET硅N沟道 |
开启电压 | 1-2(V) | 夹断电压 | 0(V) |
低频跨导 | 3.4S(μS) | 极间电容 | 400(pF) |
漏极电流 | 7700(mA) | 耗散功率 | 25000(mW) |
品牌/商标 IR 型号/规格 IRFRC20 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 用途 SW-REG/开关电源 材料 N-FET硅N沟道 开启电压 2-4(V) 夹断电压 0(V) 漏极电流 2A(mA) 耗散功率 42W(mW) 類別 離散半導體產品 家庭 MOSFET - 單 安裝類型 表面黏著式 FET型 N通道 漏極至源極的電壓(Vdss) 600V 電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C 2A 開態Rds()@ Id, Vgs @ 25° C 4.4歐姆@ 1.2A,10V 輸入電容(Ciss)@Vds 350pF @ 25V 功率 - 42W 封裝 編帶和捲軸封裝(TR) 閘電流(Qg) @ Vgs 18nC @ 10V 封裝/外殼 DPak (TO-252) 閘極至源極的電壓(Vgs) 20V
品牌/商标 国产 型号/规格 IRF640 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 用途 SW-REG/开关电源 材料 N-FET硅N沟道 开启电压 2-4(V) 夹断电压 0(V) 漏极电流 18A(mA) 耗散功率 125W(mW)