特价直插场效应管 IRF640/IRF640B 可代替IRF640N
| 价 格： | 1.20 |
| 品牌/商标 | 国产 | 型号/规格 | IRF640 |
| 种类 | 绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型 | N沟道 |
| 导电方式 | 增强型 | 用途 | SW-REG/开关电源 |
| 材料 | N-FET硅N沟道 | 开启电压 | 2-4（V） |
| 夹断电压 | 0（V） | 漏极电流 | 18A（mA） |
| 耗散功率 | 125W（mW） |
- 所属城市：广东 深圳
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绝缘型场效应管 FQPF9N50
信息内容：品牌/商标 FAIRCHILD 型号/规格 FQPF9N50C 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 用途 SW-REG/开关电源 材料 N-FET硅N沟道 开启电压 2-4（V） 夹断电压 0（V） 漏极电流 9A（mA） 耗散功率 44W（mW） 產品相片 TO-220FPkg 標準包裝 1,000類別 離散半導體產品家庭 MOSFET - 單安裝類型 通孔FET型 N通道漏極至源極的電壓(Vdss) 500V電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C 9A開態Rds（）@ Id, Vgs @ 25° C 800毫歐姆@ 4.5A，10V輸入電容(Ciss)@Vds 1030pF @ 25V功率 - 44W封裝 管裝閘電流(Qg) @ Vgs 35nC @ 10V封裝/外殼 TO-220FFET Feature Standard
场效应管 IRF830/IRF830PBF 华强实体店Q1C040室.
信息内容：品牌/商标 IR美国国际整流器公司 型号/规格 IRF830PBF 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 用途 SW-REG/开关电源 材料 N-FET硅N沟道 开启电压 2-4（V） 夹断电压 0（V） 漏极电流 4.5A（mA） 耗散功率 74W（mW） 描述晶体管极性:N沟道电流, Id 连续:4.5A电压, Vds :500V在电阻RDS（上）:1.5ohm电压 @ Rds测量:10V阈值电压, Vgs th 典型值:4V封装类型:TO-220AB针脚数:3功率, Pd:74W功耗:74W封装类型:TO-220AB漏极电流, Id 值:4.5A热阻, 结至外壳 A:1.7°C/W电压 Vgs @ Rds on 测量:10V电压, Vds 典型值:500V电压, Vgs :20V电流, Idm 脉冲:18A表面安装器件:通孔安装
