三端稳压IC S1117-33
| 价 格： | 1.00 |
| 品牌/商标 | AUK | 型号/规格 | S1117-33PIC |
| 批号 | 05+ | 封装 | TO-220F |
| 营销方式 | 现货 | 产品性质 | 热销 |
| 处理信号 | 模拟信号 | 制作工艺 | 半导体集成 |
| 导电类型 | 双极型 | 集成程度 | 小规模 |
| 工作温度 | 0~70（℃） | 类型 | 稳压IC |
- 所属城市：广东 深圳
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场效应管 FQP5N60C/FQP5N60/5N60
信息内容：品牌/商标 FAIRCHILD 型号/规格 FQP5N60C 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 用途 SW-REG/开关电源 材料 N-FET硅N沟道 开启电压 2-4（V） 夹断电压 0（V） 跨导 4.7S（μS） 漏极电流 4.5A（mA） 耗散功率 100W（mW） 標準包裝 1,000類別 離散半導體產品家庭 MOSFET - 單Series QFET安裝類型 通孔FET型 N通道漏極至源極的電壓(Vdss) 600V電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C 4.5A開態Rds（）@ Id, Vgs @ 25° C 2.5 歐姆 @ 2.25A, 10VVds時的輸入電容(Ciss) 670pF @ 25V功率 - 100W封裝 管裝閘電流(Qg) @ Vgs 19nC @ 10V封裝/外殼 TO-220FET特點 標準其他名稱 FQP5N60C FQP5N60C-ND
场效应管 FQP2N60C/FQP2N60
信息内容：品牌/商标 FAIRCHILD 型号/规格 FQP2N60C 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 用途 SW-REG/开关电源 材料 N-FET硅N沟道 开启电压 2-4（V） 夹断电压 0（V） 漏极电流 2A（mA） 耗散功率 54W（mW） 標準包裝 1,000類別 離散半導體產品家庭 MOSFET - 單Series QFET安裝類型 通孔FET型 N通道漏極至源極的電壓(Vdss) 600V電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C 2A開態Rds（）@ Id, Vgs @ 25° C 4.7 歐姆 @ 1A, 10VVds時的輸入電容(Ciss) 235pF @ 25V功率 - 54W封裝 管裝閘電流(Qg) @ Vgs 12nC @ 10V封裝/外殼 TO-220FET特點 標準其他名稱 FQP2N60C FQP2N60C-ND
