贴片场效应管 IRF640S
| 价 格： | 2.50 |
| 品牌/商标 | IR | 型号/规格 | IRF640STRL |
| 种类 | 绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型 | N沟道 |
| 导电方式 | 增强型 | 材料 | N-FET硅N沟道 |
| 开启电压 | 2-4（V） | 夹断电压 | 0（V） |
| 漏极电流 | 18000（mA） | 耗散功率 | 130000（mW） |
類別 離散半導體產品
家庭 MOSFET - 單
安裝類型 表面黏著式
FET型 N通道
漏極至源極的電壓(Vdss) 200V
電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C 18A
開態Rds（）@ Id, Vgs @ 25° C 180毫歐姆@ 11A，10V
輸入電容(Ciss)@Vds 1300pF @ 25V
功率 - 130W
封裝 散裝
閘電流(Qg) @ Vgs 70nC @ 10V
封裝/外殼 D²Pak (SMD-220-3, TO-263-3)
FET Feature Standard
其他名稱 IRF640S
IRF640S-ND
- 所属城市：广东 深圳
- [联系时请说明来自维库仪器仪表网]
- 联系人： 欧阳立
- 电话：755-83200113
- 传真：755-83200113
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绝缘场效应管 FQPF13N50
信息内容：品牌/商标 FAIRCHILD 型号/规格 FQPF13N50C 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 用途 SW-REG/开关电源 材料 N-FET硅N沟道 开启电压 2-4（V） 夹断电压 0（V） 漏极电流 13000（mA） 耗散功率 48000（mW） 產品相片 TO-220F標準包裝 1,000類別 離散半導體產品家庭 MOSFET - 單安裝類型 通孔FET型 N通道漏極至源極的電壓(Vdss) 500V電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C 13A開態Rds（）@ Id, Vgs @ 25° C 480毫歐姆@ 6.5A，10V輸入電容(Ciss)@Vds 2055pF @ 25V功率 - 48W封裝 管裝閘電流(Qg) @ Vgs 56nC @ 10V封裝/外殼 TO-220FFET Feature Standard其他名稱 FQPF13N50C FQPF13N50C-ND
场效应三极管 FQPF2N60C
信息内容：品牌/商标 FAIRCHILD 型号/规格 FQPF2N60C 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 用途 SW-REG/开关电源 材料 N-FET硅N沟道 开启电压 2-4（V） 夹断电压 0（V） 低频跨导 5000（μS） 极间电容 180（pF） 漏极电流 2000（mA） 耗散功率 23000（mW）
