品牌/商标 | FAIRCHILD | 型号/规格 | FQPF13N50C |
种类 | 绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型 | N沟道 |
导电方式 | 增强型 | 用途 | SW-REG/开关电源 |
材料 | N-FET硅N沟道 | 开启电压 | 2-4(V) |
夹断电压 | 0(V) | 漏极电流 | 13000(mA) |
耗散功率 | 48000(mW) |
產品相片 TO-220F
標準包裝 1,000
類別 離散半導體產品
家庭 MOSFET - 單
安裝類型 通孔
FET型 N通道
漏極至源極的電壓(Vdss) 500V
電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C 13A
開態Rds()@ Id, Vgs @ 25° C 480毫歐姆@ 6.5A,10V
輸入電容(Ciss)@Vds 2055pF @ 25V
功率 - 48W
封裝 管裝
閘電流(Qg) @ Vgs 56nC @ 10V
封裝/外殼 TO-220F
FET Feature Standard
其他名稱 FQPF13N50C FQPF13N50C-ND
品牌/商标 FAIRCHILD 型号/规格 FQPF2N60C 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 用途 SW-REG/开关电源 材料 N-FET硅N沟道 开启电压 2-4(V) 夹断电压 0(V) 低频跨导 5000(μS) 极间电容 180(pF) 漏极电流 2000(mA) 耗散功率 23000(mW)
品牌/商标 FAIRCHILD 型号/规格 KSC2331 类别 直插 结构 平面型 封装形式 TO-92L 材料 硅 极性 NPN型 封装材料 塑料封装 应用范围 功率 產品相片 TO-92LPkg 標準包裝 1,000類別 離散半導體產品家庭 電晶體(BJT) - 單路電晶體類型 NPN電壓 - 集電極發射極擊穿(值) 60V電流 - 集電極(Ic)(值) 700mA功率 - 1WIc,Vce時的DC電流增益(hFE)(最小值) 120 @ 50mA, 2V 在Ib、Ic條件下的Vce飽和度() 700mV @ 50mA, 500mA頻率 - 轉換 50MHz電流 - 集電極切斷(值) -安裝類型 通孔封裝/外殼 TO-92L封裝 編帶和盒子封裝(TB)其他名稱 KSC2331YSHTA KSC2331YSHTA-ND