场效应三极管 FQPF2N60C
| 价 格： | 1.05 |
| 品牌/商标 | FAIRCHILD | 型号/规格 | FQPF2N60C |
| 种类 | 绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型 | N沟道 |
| 导电方式 | 增强型 | 用途 | SW-REG/开关电源 |
| 材料 | N-FET硅N沟道 | 开启电压 | 2-4（V） |
| 夹断电压 | 0（V） | 低频跨导 | 5000（μS） |
| 极间电容 | 180（pF） | 漏极电流 | 2000（mA） |
| 耗散功率 | 23000（mW） |
- 所属城市：广东 深圳
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晶体三极管KSC2331
信息内容：品牌/商标 FAIRCHILD 型号/规格 KSC2331 类别 直插 结构 平面型 封装形式 TO-92L 材料 硅 极性 NPN型 封装材料 塑料封装 应用范围 功率 產品相片 TO-92LPkg 標準包裝 1,000類別 離散半導體產品家庭 電晶體(BJT) - 單路電晶體類型 NPN電壓 - 集電極發射極擊穿（值） 60V電流 - 集電極(Ic)（值） 700mA功率 - 1WIc，Vce時的DC電流增益(hFE)（最小值） 120 @ 50mA, 2V 在Ib、Ic條件下的Vce飽和度（） 700mV @ 50mA, 500mA頻率 - 轉換 50MHz電流 - 集電極切斷（值） -安裝類型 通孔封裝/外殼 TO-92L封裝 編帶和盒子封裝(TB)其他名稱 KSC2331YSHTA KSC2331YSHTA-ND
场效应管 FQU2N60C/FQU2N60/2N60
信息内容：品牌/商标 FAIRCHILD 型号/规格 FQU2N60C 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 用途 SW-REG/开关电源 材料 N-FET硅N沟道 开启电压 2-4（V） 夹断电压 0（V） 漏极电流 1.9A（mA） 耗散功率 44W（mW） 標準包裝 1,500類別 離散半導體產品家庭 MOSFET - 單Series OptiMOS安裝類型 通孔FET型 N通道漏極至源極的電壓(Vdss) 25V電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C 1.9A開態Rds（）@ Id, Vgs @ 25° C 8.8 毫歐姆 @ 30A, 10VVds時的輸入電容(Ciss) 1642pF @ 15V功率 - 63W封裝 管裝閘電流(Qg) @ Vgs 13nC @ 5V封裝/外殼 IPak, TO-251, DPak, VPak (3直引線 + 接頭）FET特點 標準
