场效应管 STD4NK50ZT4/STD4NK50/D4NK50
| 价 格： | 1.50 |
| 品牌/商标 | ST意法半导体 | 型号/规格 | STD4NK50ZT4 |
| 种类 | 绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型 | N沟道 |
| 导电方式 | 增强型 | 用途 | SW-REG/开关电源 |
| 材料 | N-FET硅N沟道 | 开启电压 | 3-4.5（V） |
| 夹断电压 | 0（V） | 漏极电流 | 3A（mA） |
| 耗散功率 | 45W（mW） |
描述
- 晶体管极性:N沟道
- 电流, Id 连续:3A
- 电压, Vds :500V
- 在电阻RDS（上）:2.7ohm
- 电压 @ Rds测量:10V
- 阈值电压, Vgs th 典型值:2.3V
- 封装类型:D-PAK
- SVHC(高度关注物质):No SVHC (15-Dec-2010)
- 功率, Pd:45W
- 功耗:45W
- 封装类型:DPAK
- 晶体管类型:
- 电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
- 电压, Vds:500V
- 电压, Vds 典型值:500V
- 电流, Idm 脉冲:12A
- 表面安装器件:表面安装
- 通态电阻, Rds on @ Vgs = 10V:2.7ohm
- 阈值电压, Vgs th :2.7V
- 所属城市：广东 深圳
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- 联系人： 欧阳立
- 电话：755-83200113
- 传真：755-83200113
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贴片场效应管 IRF640S
信息内容：品牌/商标 IR 型号/规格 IRF640STRL 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 材料 N-FET硅N沟道 开启电压 2-4（V） 夹断电压 0（V） 漏极电流 18000（mA） 耗散功率 130000（mW） 類別 離散半導體產品 家庭 MOSFET - 單 安裝類型 表面黏著式 FET型 N通道 漏極至源極的電壓(Vdss) 200V 電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C 18A 開態Rds（）@ Id, Vgs @ 25° C 180毫歐姆@ 11A，10V 輸入電容(Ciss)@Vds 1300pF @ 25V 功率 - 130W 封裝 散裝 閘電流(Qg) @ Vgs 70nC @ 10V 封裝/外殼 D²Pak (SMD-220-3, TO-263-3) FET Feature Standard 其他名稱 IRF640SIRF640S-ND
绝缘场效应管 FQPF13N50
信息内容：品牌/商标 FAIRCHILD 型号/规格 FQPF13N50C 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 用途 SW-REG/开关电源 材料 N-FET硅N沟道 开启电压 2-4（V） 夹断电压 0（V） 漏极电流 13000（mA） 耗散功率 48000（mW） 產品相片 TO-220F標準包裝 1,000類別 離散半導體產品家庭 MOSFET - 單安裝類型 通孔FET型 N通道漏極至源極的電壓(Vdss) 500V電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C 13A開態Rds（）@ Id, Vgs @ 25° C 480毫歐姆@ 6.5A，10V輸入電容(Ciss)@Vds 2055pF @ 25V功率 - 48W封裝 管裝閘電流(Qg) @ Vgs 56nC @ 10V封裝/外殼 TO-220FFET Feature Standard其他名稱 FQPF13N50C FQPF13N50C-ND
