高压MOS管 FQPF12N60C/FQPF12N60/12N60
| 价 格： | 3.50 |
| 品牌/商标 | FAIRCHILD/仙童 | 型号/规格 | FQPF12N60C |
| 种类 | 绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型 | N沟道 |
| 导电方式 | 增强型 | 用途 | SW-REG/开关电源 |
| 材料 | N-FET硅N沟道 | 开启电压 | 2-4（V） |
| 夹断电压 | 0（V） | 跨导 | 13S（μS） |
| 漏极电流 | 12A（mA） | 耗散功率 | 51W（mW） |
- 所属城市：广东 深圳
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场效应管 STD4NK50ZT4/STD4NK50/D4NK50
信息内容：品牌/商标 ST意法半导体 型号/规格 STD4NK50ZT4 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 用途 SW-REG/开关电源 材料 N-FET硅N沟道 开启电压 3-4.5（V） 夹断电压 0（V） 漏极电流 3A（mA） 耗散功率 45W（mW） 描述晶体管极性:N沟道电流, Id 连续:3A电压, Vds :500V在电阻RDS（上）:2.7ohm电压 @ Rds测量:10V阈值电压, Vgs th 典型值:2.3V封装类型:D-PAKSVHC(高度关注物质):No SVHC (15-Dec-2010)功率, Pd:45W功耗:45W封装类型:DPAK晶体管类型:电压 Vgs @ Rds on 测量:10V电压, Vds:500V电压, Vds 典型值:500V电流, Idm 脉冲:12A表面安装器件:表面安装通态电阻, Rds on @ Vgs = 10V:2.7ohm阈值电压, Vgs th :2.7V
贴片场效应管 IRF640S
信息内容：品牌/商标 IR 型号/规格 IRF640STRL 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 材料 N-FET硅N沟道 开启电压 2-4（V） 夹断电压 0（V） 漏极电流 18000（mA） 耗散功率 130000（mW） 類別 離散半導體產品 家庭 MOSFET - 單 安裝類型 表面黏著式 FET型 N通道 漏極至源極的電壓(Vdss) 200V 電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C 18A 開態Rds（）@ Id, Vgs @ 25° C 180毫歐姆@ 11A，10V 輸入電容(Ciss)@Vds 1300pF @ 25V 功率 - 130W 封裝 散裝 閘電流(Qg) @ Vgs 70nC @ 10V 封裝/外殼 D²Pak (SMD-220-3, TO-263-3) FET Feature Standard 其他名稱 IRF640SIRF640S-ND
