达林顿三极管TIP127
| 价 格： | 1.00 |
| 品牌/商标 | Samsung三星 | 型号/规格 | TIP127 |
| 应用范围 | 达林顿 | 材料 | 硅(Si) |
| 极性 | PNP型 | 击穿电压VCBO | VCEO=100（V） |
| 集电极允许电流ICM | 5（A） | 集电极耗散功率PCM | 65（W） |
| 结构 | 平面型 | 封装形式 | TO-220 |
| 封装材料 | 塑料封装 |
- 所属城市：广东 深圳
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高压MOS管 FQPF12N60C/FQPF12N60/12N60
信息内容：品牌/商标 FAIRCHILD/仙童 型号/规格 FQPF12N60C 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 用途 SW-REG/开关电源 材料 N-FET硅N沟道 开启电压 2-4（V） 夹断电压 0（V） 跨导 13S（μS） 漏极电流 12A（mA） 耗散功率 51W（mW）
场效应管 STD4NK50ZT4/STD4NK50/D4NK50
信息内容：品牌/商标 ST意法半导体 型号/规格 STD4NK50ZT4 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 用途 SW-REG/开关电源 材料 N-FET硅N沟道 开启电压 3-4.5（V） 夹断电压 0（V） 漏极电流 3A（mA） 耗散功率 45W（mW） 描述晶体管极性:N沟道电流, Id 连续:3A电压, Vds :500V在电阻RDS（上）:2.7ohm电压 @ Rds测量:10V阈值电压, Vgs th 典型值:2.3V封装类型:D-PAKSVHC(高度关注物质):No SVHC (15-Dec-2010)功率, Pd:45W功耗:45W封装类型:DPAK晶体管类型:电压 Vgs @ Rds on 测量:10V电压, Vds:500V电压, Vds 典型值:500V电流, Idm 脉冲:12A表面安装器件:表面安装通态电阻, Rds on @ Vgs = 10V:2.7ohm阈值电压, Vgs th :2.7V
