场效应三极管 IRF730/IRF730B/IRF730N
| 价 格： | 0.80 |
| 品牌/商标 | 国产 | 型号/规格 | IRF730B |
| 种类 | 绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型 | N沟道 |
| 导电方式 | 增强型 | 用途 | SW-REG/开关电源 |
| 材料 | N-FET硅N沟道 | 开启电压 | 2-4.5（V） |
| 夹断电压 | 0（V） | 漏极电流 | 5.5A（mA） |
| 耗散功率 | 74W（mW） |
描述
- 晶体管极性:N沟道
- 电流, Id 连续:5.5A
- 电压, Vds :400V
- 在电阻RDS（上）:1ohm
- 电压 @ Rds测量:10V
- 阈值电压, Vgs th 典型值:4.5V
- 封装类型:TO-220AB
- 针脚数:3
- SVHC(高度关注物质):No SVHC (20-Jun-2011)
- 功率, Pd:74W
- 功耗:74W
- 封装类型:TO-220AB
- 漏极电流, Id 值:5.5A
- 热阻, 结至外壳 A:1.7°C/W
- 电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
- 电压, Vds 典型值:400V
- 电压, Vgs :30V
- 电流, Idm 脉冲:22A
- 表面安装器件:通孔安装
- 阈值电压, Vgs th :4.5V
- 所属城市：广东 深圳
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- 联系人： 欧阳立
- 电话：755-83200113
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达林顿三极管TIP127
信息内容：品牌/商标 Samsung三星 型号/规格 TIP127 应用范围 达林顿 材料 硅(Si) 极性 PNP型 击穿电压VCBO VCEO=100（V） 集电极允许电流ICM 5（A） 集电极耗散功率PCM 65（W） 结构 平面型 封装形式 TO-220 封装材料 塑料封装
高压MOS管 FQPF12N60C/FQPF12N60/12N60
信息内容：品牌/商标 FAIRCHILD/仙童 型号/规格 FQPF12N60C 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 用途 SW-REG/开关电源 材料 N-FET硅N沟道 开启电压 2-4（V） 夹断电压 0（V） 跨导 13S（μS） 漏极电流 12A（mA） 耗散功率 51W（mW）
