品牌/商标 | TI | 型号/规格 | TSC2046IPWG4 |
封装 | TSSOP16 | 批号 | 08 |
类型 | 手机IC |
TSC2046 |
16-TSSOP |
Data Converter Basics |
2,500 |
集成电路 (IC) |
数据采集 - 触摸屏幕控制器 |
- |
电阻 |
4 线 |
1 TSC |
12 b |
Available |
MICROWIRE™, QSPI™, 串行, SPI™ |
125k |
内部 |
2.2 V ~ 5.25 V |
780µA |
-40°C ~ 85°C |
表面贴装 |
16-TSSOP(0.173", 4.40mm 宽) |
16-TSSOP |
带卷 (TR) |
品牌/商标 其他 型号/规格 IRFR014 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 开启电压 60(V) 夹断电压 4(V) 数据列表IRFR014, IRFU014产品相片TO-252-2标准包装2,000类别分离式半导体产品家庭FET - 单路系列-FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物FET 特点标准型开态Rds()@ Id, Vgs @ 25° C200 毫欧 @ 4.6A, 10V漏极至源极电压(Vdss)60V电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C7.7AId 时的 Vgs(th)()4V @ 250µA闸电荷(Qg) @ Vgs11nC @ 10V在 Vds 时的输入电容(Ciss)300pF @ 25V功率 - 2.5W安装类型表面贴装封装/外壳TO-252-3, DPak (2 引线+接片), SC-63包装带卷 (TR)
品牌/商标 其他 型号/规格 SI4532ADY 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 P沟道 导电方式 增强型 开启电压 30(V) SO8, P沟MOSFET数据列表SI4532ADY标准包装2,500类别分离式半导体产品家庭FET - 阵列系列TrenchFET®FET 型N 和 P 沟道FET 特点逻辑电平门开态Rds()@ Id, Vgs @ 25° C53 毫欧 @ 4.9A, 10V漏极至源极电压(Vdss)30V电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C3.7A, 3AId 时的 Vgs(th)()1V @ 250µA闸电荷(Qg) @ Vgs16nC @ 10V在 Vds 时的输入电容(Ciss)-功率 - 1.13W, 1.2W安装类型表面贴装封装/外壳8-SOIC(0.154", 3.90mm 宽)供应商设备封装8-SOICN包装带卷 (TR)