N沟MOSF管RFR014
| 价 格： | 4.00 |
| 品牌/商标 | 其他 | 型号/规格 | IRFR014 |
| 种类 | 绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型 | N沟道 |
| 导电方式 | 增强型 | 开启电压 | 60（V） |
| 夹断电压 | 4（V） |
| IRFR014, IRFU014 |
| TO-252-2 |
| 2,000 |
| 分离式半导体产品 |
| FET - 单路 |
| - |
| MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 标准型 |
| 200 毫欧 @ 4.6A, 10V |
| 60V |
| 7.7A |
| 4V @ 250µA |
| 11nC @ 10V |
| 300pF @ 25V |
| 2.5W |
| 表面贴装 |
| TO-252-3, DPak (2 引线+接片), SC-63 |
| 带卷 (TR) |
- 所属城市：广东 深圳
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P沟MOSF管SI4532
信息内容：品牌/商标 其他 型号/规格 SI4532ADY 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 P沟道 导电方式 增强型 开启电压 30（V） SO8, P沟MOSFET数据列表SI4532ADY标准包装2,500类别分离式半导体产品家庭FET - 阵列系列TrenchFET®FET 型N 和 P 沟道FET 特点逻辑电平门开态Rds（）@ Id, Vgs @ 25° C53 毫欧 @ 4.9A, 10V漏极至源极电压(Vdss)30V电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C3.7A, 3AId 时的 Vgs(th)（）1V @ 250µA闸电荷(Qg) @ Vgs16nC @ 10V在 Vds 时的输入电容(Ciss)-功率 - 1.13W, 1.2W安装类型表面贴装封装/外壳8-SOIC（0.154", 3.90mm 宽）供应商设备封装8-SOICN包装带卷 (TR)
SMD稳压二极管S3A-S3M
信息内容：产品类型 稳压管 品牌/商标 国产 型号/规格 S3A-S3M 结构 面接触型 材料 硅(Si) 封装形式 贴片型 封装材料 塑料封装 出光面特征 微型管 发光强度角分布 标准型 反向电压VR 50（V） 正向直流电流IF 3（A） Rectifier - Standard 3.0A 400V数据列表S3A thru S3M产品相片DO-214AB, SMC标准包装850类别分离式半导体产品家庭单二极管/整流器系列-电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（）1.15V @ 2.5A电压 - (Vr)（）50V电流 - 平均整流 (Io)3A电流 - 在 Vr 时反向漏电10µA @ 50V二极管型标准速度标准恢复 >500ns，> 200mA (Io)反向恢复时间(trr)2.5µs电容@ Vr, F-安装类型表面贴装封装/外壳DO-214AB, SMC供应商设备封装DO-214AB, (SMC)
