P沟MOSF管SI4532
| 价 格： | 3.00 |
| 品牌/商标 | 其他 | 型号/规格 | SI4532ADY |
| 种类 | 绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型 | P沟道 |
| 导电方式 | 增强型 | 开启电压 | 30（V） |
SO8, P沟MOSFET
| SI4532ADY |
| 2,500 |
| 分离式半导体产品 |
| FET - 阵列 |
| TrenchFET® |
| N 和 P 沟道 |
| 逻辑电平门 |
| 53 毫欧 @ 4.9A, 10V |
| 30V |
| 3.7A, 3A |
| 1V @ 250µA |
| 16nC @ 10V |
| - |
| 1.13W, 1.2W |
| 表面贴装 |
| 8-SOIC（0.154", 3.90mm 宽） |
| 8-SOICN |
| 带卷 (TR) |
- 所属城市：广东 深圳
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SMD稳压二极管S3A-S3M
信息内容：产品类型 稳压管 品牌/商标 国产 型号/规格 S3A-S3M 结构 面接触型 材料 硅(Si) 封装形式 贴片型 封装材料 塑料封装 出光面特征 微型管 发光强度角分布 标准型 反向电压VR 50（V） 正向直流电流IF 3（A） Rectifier - Standard 3.0A 400V数据列表S3A thru S3M产品相片DO-214AB, SMC标准包装850类别分离式半导体产品家庭单二极管/整流器系列-电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（）1.15V @ 2.5A电压 - (Vr)（）50V电流 - 平均整流 (Io)3A电流 - 在 Vr 时反向漏电10µA @ 50V二极管型标准速度标准恢复 >500ns，> 200mA (Io)反向恢复时间(trr)2.5µs电容@ Vr, F-安装类型表面贴装封装/外壳DO-214AB, SMC供应商设备封装DO-214AB, (SMC)
BF820放大三极管
信息内容：品牌/商标 国产 型号/规格 BF820 应用范围 放大 材料 硅(Si) 极性 NPN型 击穿电压VCBO 300（V） 截止频率fT 60（MHz） 结构 面接触型 封装形式 贴片型 封装材料 塑料封装 NA TRANS PNP 300V 50MA SOT23数据列表BF820, BF822产品相片SOT-23-3标准包装3,000类别分离式半导体产品家庭晶体管(BJT) - 单路系列-晶体管类型NPN电流 - 集电极 (Ic)（）50mA电压 - 集电极发射极击穿（）300VIb、Ic条件下的Vce饱和度（）600mV @ 5mA, 30mA电流 - 集电极截止（）-在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)50 @ 25mA, 20V功率 - 250mW频率 - 转换60MHz安装类型表面贴装封装/外壳TO-236-3, SC-59, SOT-23-3供应商设备封装TO-236AB包装带卷 (TR)
