达林顿三极管 TIP117
| 价 格： | 0.90 |
| 品牌/商标 | 华昕 | 型号/规格 | TIP117 |
| 应用范围 | 达林顿 | 功率特性 | 中功率 |
| 极性 | PNP型 | 结构 | 平面型 |
| 材料 | 硅 | 封装形式 | TO-220 |
| 封装材料 | 塑料封装 | 集电极允许电流ICM | 4（A） |
| 集电极耗散功率PCM | 50（W） | 营销方式 | 现货 |
| 产品性质 | 热销 |
原装现货,特价供应.
標準包裝 1,000
類別 離散半導體產品
家庭 電晶體(BJT) - 單路
電晶體類型 PNP - 達靈頓
電壓 - 集電極發射極擊穿（值） 100V
電流 - 集電極(Ic)（值） 4A
功率 - 2W
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 1000 @ 1A, 4V
在Ib、Ic條件下的Vce飽和度（） 2.5V @ 8mA, 2A
Frequency - Transistion -
Current - Collector Cutoff (Max) 2mA
安裝類型 Tube
封裝/外殼 TO-220
封裝 管裝
- 所属城市：广东 深圳
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- 联系人： 欧阳立
- 电话：755-83200113
- 传真：755-83200113
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场效应三极管 IRF730/IRF730B/IRF730N
信息内容：品牌/商标 国产 型号/规格 IRF730B 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 用途 SW-REG/开关电源 材料 N-FET硅N沟道 开启电压 2-4.5（V） 夹断电压 0（V） 漏极电流 5.5A（mA） 耗散功率 74W（mW） 描述晶体管极性:N沟道电流, Id 连续:5.5A电压, Vds :400V在电阻RDS（上）:1ohm电压 @ Rds测量:10V阈值电压, Vgs th 典型值:4.5V封装类型:TO-220AB针脚数:3SVHC(高度关注物质):No SVHC (20-Jun-2011)功率, Pd:74W功耗:74W封装类型:TO-220AB漏极电流, Id 值:5.5A热阻, 结至外壳 A:1.7°C/W电压 Vgs @ Rds on 测量:10V电压, Vds 典型值:400V电压, Vgs :30V电流, Idm 脉冲:22A表面安装器件:通孔安装阈值电压, Vgs th :4.5V
达林顿三极管TIP127
信息内容：品牌/商标 Samsung三星 型号/规格 TIP127 应用范围 达林顿 材料 硅(Si) 极性 PNP型 击穿电压VCBO VCEO=100（V） 集电极允许电流ICM 5（A） 集电极耗散功率PCM 65（W） 结构 平面型 封装形式 TO-220 封装材料 塑料封装
