特价国产场效应 IRF630/IRF630B/可代替IRF630N
| 价 格： | 0.80 |
| 品牌/商标 | 国产 | 型号/规格 | IRF630 |
| 种类 | 绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型 | N沟道 |
| 导电方式 | 增强型 | 用途 | SW-REG/开关电源 |
| 材料 | N-FET硅N沟道 | 开启电压 | 2-4（V） |
| 夹断电压 | 0（V） | 漏极电流 | 9A（mA） |
| 耗散功率 | 72（mW） |
- 所属城市：广东 深圳
- [联系时请说明来自维库仪器仪表网]
- 联系人： 欧阳立
- 电话：755-83200113
- 传真：755-83200113
- 手机：
- QQ ：
达林顿三极管 TIP117
信息内容：品牌/商标 华昕 型号/规格 TIP117 应用范围 达林顿 功率特性 中功率 极性 PNP型 结构 平面型 材料 硅 封装形式 TO-220 封装材料 塑料封装 集电极允许电流ICM 4（A） 集电极耗散功率PCM 50（W） 营销方式 现货 产品性质 热销 原装现货,特价供应. 標準包裝 1,000 類別 離散半導體產品 家庭 電晶體(BJT) - 單路 電晶體類型 PNP - 達靈頓 電壓 - 集電極發射極擊穿（值） 100V 電流 - 集電極(Ic)（值） 4A 功率 - 2W DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 1000 @ 1A, 4V 在Ib、Ic條件下的Vce飽和度（） 2.5V @ 8mA, 2A Frequency - Transistion - Current - Collector Cutoff...
场效应三极管 IRF730/IRF730B/IRF730N
信息内容：品牌/商标 国产 型号/规格 IRF730B 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道 导电方式 增强型 用途 SW-REG/开关电源 材料 N-FET硅N沟道 开启电压 2-4.5（V） 夹断电压 0（V） 漏极电流 5.5A（mA） 耗散功率 74W（mW） 描述晶体管极性:N沟道电流, Id 连续:5.5A电压, Vds :400V在电阻RDS（上）:1ohm电压 @ Rds测量:10V阈值电压, Vgs th 典型值:4.5V封装类型:TO-220AB针脚数:3SVHC(高度关注物质):No SVHC (20-Jun-2011)功率, Pd:74W功耗:74W封装类型:TO-220AB漏极电流, Id 值:5.5A热阻, 结至外壳 A:1.7°C/W电压 Vgs @ Rds on 测量:10V电压, Vds 典型值:400V电压, Vgs :30V电流, Idm 脉冲:22A表面安装器件:通孔安装阈值电压, Vgs th :4.5V
