品牌/商标 | IR美国国际整流器公司 | 型号/规格 | 30CTQ100 |
种类 | 绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型 | P沟道 |
导电方式 | 增强型 | 封装外形 | P-DIT/塑料双列直插 |
开启电压 | 100(V) | 漏极电流 | 30(mA) |
品牌/商标 FSC 型号/规格 FDH44N50 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 P沟道 导电方式 增强型 封装外形 P-DIT/塑料双列直插 现货,欢迎来电0755-82567630咨询场效应晶体管(Field Effect Transistor缩写(FET))简称场效应管.由多数载流子参与导电,也称为单极型晶体管.它属于电压控制型半导体器件.特点: 具有输入电阻高(100000000~1000000000Ω)、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽、热稳定性好等优点,现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强大竞争者.作用: 场效应管可应用于放大.由于场效应管放大器的输入阻抗很高,因此耦合电容可以容量较小,不必使用电解电容器. 场效应管可以用作电子开关. 场效应管很高的输入阻抗非常适合作阻抗变换.常用于多级放大器的输入级作阻抗变换.场效应管可以用作可变电阻.场效应管可以方便地用作恒流源.
品牌/商标 TOS日本东芝 型号/规格 GT60N321 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 P沟道 导电方式 增强型 封装外形 CHIP/小型片状 开启电压 1000(V) 漏极电流 60(mA) 现货,欢迎来电0755-82567630咨询.IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),绝缘栅双极型晶体管,是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件,兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低,载流密度大,但驱动电流较大;MOSFET驱动功率很小,开关速度快,但导通压降大,载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点,驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。