场效应管FDH44N50,增强型MOS管P沟道
| 价 格： | 1.00 |
| 品牌/商标 | FSC | 型号/规格 | FDH44N50 |
| 种类 | 绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型 | P沟道 |
| 导电方式 | 增强型 | 封装外形 | P-DIT/塑料双列直插 |
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场效应晶体管（Field Effect Transistor缩写(FET)）简称场效应管.由多数载流子参与导电,也称为单极型晶体管.它属于电压控制型半导体器件.
特点:
具有输入电阻高（100000000～1000000000Ω）、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽、热稳定性好等优点,现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强大竞争者.
作用:
场效应管可应用于放大.由于场效应管放大器的输入阻抗很高,因此耦合电容可以容量较小,不必使用电解电容器.
场效应管可以用作电子开关.
场效应管很高的输入阻抗非常适合作阻抗变换.常用于多级放大器的输入级作阻抗变换.场效应管可以用作可变电阻.场效应管可以方便地用作恒流源.
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IGBT:（60A1000V）GT60N321
信息内容：品牌/商标 TOS日本东芝 型号/规格 GT60N321 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 P沟道 导电方式 增强型 封装外形 CHIP/小型片状 开启电压 1000（V） 漏极电流 60（mA） 现货，欢迎来电0755-82567630咨询.IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件,兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大;MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。
可控硅BT136-600E
信息内容：品牌/商标 Philips飞利浦 型号/规格 BT136-600E 控制方式 双向 极数 二极 封装材料 塑料封装 额定正向平均电流 4（A） 稳定工作电流 25（A） 反向重复峰值电压 600（V）
