IGBT:（60A1000V）GT60N321
| 价 格： | 1.00 |
| 品牌/商标 | TOS日本东芝 | 型号/规格 | GT60N321 |
| 种类 | 绝缘栅(MOSFET) | 沟道类型 | P沟道 |
| 导电方式 | 增强型 | 封装外形 | CHIP/小型片状 |
| 开启电压 | 1000（V） | 漏极电流 | 60（mA） |
现货，欢迎来电0755-82567630咨询.
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件,兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大;MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。
- 所属城市：广东 深圳
- [联系时请说明来自维库仪器仪表网]
- 联系人： 陈瑞琪
- 电话：86 0755 82567630
- 传真：86 0755 83289506
- 手机：13714425085
- QQ ：
可控硅BT136-600E
信息内容：品牌/商标 Philips飞利浦 型号/规格 BT136-600E 控制方式 双向 极数 二极 封装材料 塑料封装 额定正向平均电流 4（A） 稳定工作电流 25（A） 反向重复峰值电压 600（V）
快恢复管RHRG75120
信息内容：品牌/商标 FAIRCHILD/仙童 型号/规格 RHRG75120 种类 绝缘栅(MOSFET) 沟道类型 P沟道 导电方式 增强型 封装外形 P-DIT/塑料双列直插 原装进口。欢迎来电咨询。快恢复二极管（简称FRD）是一种具有开关特性好、反向恢复时间短特点的半导体二极管，主要应用于开关电源、PWM脉宽调制器、变频器等电子电路中，作为高频整流二极管、续流二极管或阻尼二极管使用。 快恢复二极管的内部结构与普通PN结二极管不同，它属于PIN结型二极管，即在P型硅材料与N型硅材料中间增加了基区I，构成PIN硅片。因基区很薄，反向恢复电荷很小，所以快恢复二极管的反向恢复时间较短，正向压降较低，反向击穿电压（耐压值）较高。
