价 格: | 面议 | |
型号/规格: | S8050(J3Y) | |
品牌/商标: | JCST(长电) | |
封装形式: | SOT-23 | |
环保类别: | 无铅环保型 | |
安装方式: | 贴片式 | |
包装方式: | 卷带编带包装 | |
功率特性: | 大功率 | |
频率特性: | | |
极性: | |
一、长电贴片三极管参数:
晶体管类型: NPN
电流 - 集电极 (Ic)(): 1.5A
电压 - 集电极发射极击穿(): 25V
Ib、Ic条件下的Vce饱和度(): 500mV @ 80mA, 800mA
电流 - 集电极截止(): 100nA
在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE): 120 @ 100mA, 1V
功率 - : 625mW
频率 - 转换: 100MHz
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供应商设备封装: SOT-23
包装: 带卷 (TR)
二、产品结构介绍:
更的说,三极管是利用VEB(或VBE)的变化来控制IC,而且提供之IB远比IC小。npn三极管的操作原理和pnp三极管是一样的,只是偏压方向,电流方 向均相反,电子和空穴的角色互易。pnp三极管是利用VEB控制由射极经基极,入射到集电极的空穴,而npn三极管则是利用VBE控制由射极经基极、入射到集电极的电子。三极管在数字电路中的用途其实就是开关,利用电信号使三极管在正向活性区(或饱和区)与截止区间切换,就开关而言,对应开与关的状态,就数字电路而言则代表0与1(或1与0)两个二进位数字。若三极管一直维持偏压在正向活性区,在射极与基极间微小的电信号(可以是电压或电流)变化,会造成射极与集电极间电流相对上很大的变化,故可用作信号放大器。
一、HT贴片三极管参数: 晶体管类型: NPN 电流 - 集电极 (Ic)(): 1.5A 电压 - 集电极发射极击穿(): 25V Ib、Ic条件下的Vce饱和度(): 500mV @ 80mA, 800mA 电流 - 集电极截止(): 100nA 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE): 120 @ 100mA, 1V 功率 - : 625mW 频率 - 转换: 100MHz 安装类型: 表面贴装 封装/外壳: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 二、产品结构: 当没有被复合的空穴到达BC接面的耗尽区时,会被此区内的电场加速扫入集电极,空穴在集电极中为多数载体,很快藉由漂移电流到达连结外部的欧姆接点,形成集电极电流IC。IC的大小和BC间反向偏压的大小 关系不大。基极外部仅需提供与注入空穴复合部分的电子流IBrec,与由基极注入 射极的电子流InBE(这部分是三极管作用不需要的部分)。InB E在射极与与电 洞复合,即InB E=IErec。pnp三极管在正向活性区时主要的电流种类可以清楚地,射极注入基极的空穴流大小是由EB接面间的正向偏压大小来控制,和二极体的情形类似,在启动电压附近,微小的偏压变化,即可造成很大的注入电流变化。
一、ST贴片三极管参数: 晶体管类型: NPN 电流 - 集电极 (Ic)(): 1.5A 电压 - 集电极发射极击穿(): 25V Ib、Ic条件下的Vce饱和度(): 500mV @ 80mA, 800mA 电流 - 集电极截止(): 100nA 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE): 120 @ 100mA, 1V 功率 - : 625mW 频率 - 转换: 100MHz 安装类型: 表面贴装 封装/外壳: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供应商设备封装: SOT-23 包装: 剪切带 (CT) 二、产品结构: EB接面的空乏区由于在正向偏压会变窄,载体看到的位障变小,射极的空穴会注入到基极,基极的电子也会注入到射极;而BC接面的耗尽区则会变宽,载体看到的位障变大, 故本身是不导通的。三极管和两个反向相接的pn二极管有什么差别呢?其间的不同部分就在 于三极管的两个接面相当接近。以上述之偏压在正向活性区之pnp三极管为例, 射极的空穴注入基极的n型中性区,马上被多数载体电子包围遮蔽,然后朝集电极 方向扩散,同时也被电子复合。