供应HT贴片三极管优质代理家，厂家热卖HT贴片三极管
| 价 格： | 面议 | |
| 型号/规格： | S8050(J3Y) | |
| 品牌/商标： | HT | |
| 封装形式： | SOT-23 | |
| 环保类别： | 无铅环保型 | |
| 安装方式： | 贴片式 | |
| 包装方式： | 卷带编带包装 | |
| 功率特性： | 大功率 | |
| 频率特性： | | |
| 极性： | |
一、HT贴片三极管参数：
晶体管类型: NPN
电流 - 集电极 (Ic)（）: 1.5A
电压 - 集电极发射极击穿（）: 25V
Ib、Ic条件下的Vce饱和度（）: 500mV @ 80mA, 800mA
电流 - 集电极截止（）: 100nA
在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE): 120 @ 100mA, 1V
功率 - : 625mW
频率 - 转换: 100MHz
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
二、产品结构：
当没有被复合的空穴到达BC接面的耗尽区时，会被此区内的电场加速扫入集电极，空穴在集电极中为多数载体，很快藉由漂移电流到达连结外部的欧姆接点，形成集电极电流IC。IC的大小和BC间反向偏压的大小 关系不大。基极外部仅需提供与注入空穴复合部分的电子流IBrec，与由基极注入 射极的电子流InBE（这部分是三极管作用不需要的部分）。InB E在射极与与电 洞复合，即InB E=IErec。pnp三极管在正向活性区时主要的电流种类可以清楚地，射极注入基极的空穴流大小是由EB接面间的正向偏压大小来控制，和二极体的情形类似，在启动电压附近，微小的偏压变化，即可造成很大的注入电流变化。
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供应ST贴片三极管优质厂家代理，ST贴片三极管特价热销
信息内容：一、ST贴片三极管参数： 晶体管类型: NPN 电流 - 集电极 (Ic)（）: 1.5A 电压 - 集电极发射极击穿（）: 25V Ib、Ic条件下的Vce饱和度（）: 500mV @ 80mA, 800mA 电流 - 集电极截止（）: 100nA 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE): 120 @ 100mA, 1V 功率 - : 625mW 频率 - 转换: 100MHz 安装类型: 表面贴装 封装/外壳: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供应商设备封装: SOT-23 包装: 剪切带 (CT) 二、产品结构： EB接面的空乏区由于在正向偏压会变窄，载体看到的位障变小，射极的空穴会注入到基极，基极的电子也会注入到射极；而BC接面的耗尽区则会变宽，载体看到的位障变大， 故本身是不导通的。三极管和两个反向相接的pn二极管有什么差别呢？其间的不同部分就在 于三极管的两个接面相当接近。以上述之偏压在正向活性区之pnp三极管为例， 射极的空穴注入基极的n型中性区，马上被多数载体电子包围遮蔽，然后朝集电极 方向扩散，同时也被电子复合。
供应PNP贴片三极管，S8050(J3Y)优质PNP贴片三极管
信息内容：一、PNP贴片三极管参数： 晶体管类型: NPN 电流 - 集电极 (Ic)（）: 1.5A 电压 - 集电极发射极击穿（）: 25V Ib、Ic条件下的Vce饱和度（）: 500mV @ 80mA, 800mA 电流 - 集电极截止（）: 100nA 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE): 120 @ 100mA, 1V 功率 - : 625mW 频率 - 转换: 100MHz 安装类型: 表面贴装 封装/外壳: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供应商设备封装: SOT-23 包装: 带卷 (TR) 二、产品结构介绍： 三极管的基本结构是两个反向连结的PN接面，如图1所示，可有pnp和npn 两种组合。三个接出来的端点依序称为发射极（emitter,E）、基极（base,B）和集电极（collector,C），名称来源和它们在三极管操作时的功能有关。图中也显示出 npn与pnp三极管的电路符号，发射极特别被标出，箭号所指的极为n型半导体， 和二极体的符号一致。在没接外加偏压时，两个pn接面都会形成耗尽区，将中性的p型区和n型区隔开。 三极管的电特性和两个pn接面的偏压有关，工作区间也依偏压方式来分类，这里 我们先讨论最常用的所谓”正向活性区”（forward active），在此区EB极间的pn接 面维持在正向偏压，而BC极间的pn接面则在反向...
