供应ST贴片三极管优质厂家代理，ST贴片三极管特价热销
| 价 格： | 面议 | |
| 型号/规格： | S8050(J3Y) | |
| 品牌/商标： | ST（意法半导体） | |
| 封装形式： | SOT-23 | |
| 环保类别： | 无铅环保型 | |
| 安装方式： | 贴片式 | |
| 包装方式： | 卷带编带包装 | |
| 功率特性： | 大功率 | |
| 频率特性： | | |
| 极性： | |
一、ST贴片三极管参数：
晶体管类型: NPN
电流 - 集电极 (Ic)（）: 1.5A
电压 - 集电极发射极击穿（）: 25V
Ib、Ic条件下的Vce饱和度（）: 500mV @ 80mA, 800mA
电流 - 集电极截止（）: 100nA
在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE): 120 @ 100mA, 1V
功率 - : 625mW
频率 - 转换: 100MHz
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供应商设备封装: SOT-23
包装: 剪切带 (CT)
二、产品结构：
EB接面的空乏区由于在正向偏压会变窄，载体看到的位障变小，射极的空穴会注入到基极，基极的电子也会注入到射极；而BC接面的耗尽区则会变宽，载体看到的位障变大， 故本身是不导通的。三极管和两个反向相接的pn二极管有什么差别呢？其间的不同部分就在 于三极管的两个接面相当接近。以上述之偏压在正向活性区之pnp三极管为例， 射极的空穴注入基极的n型中性区，马上被多数载体电子包围遮蔽，然后朝集电极 方向扩散，同时也被电子复合。
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供应PNP贴片三极管，S8050(J3Y)优质PNP贴片三极管
信息内容：一、PNP贴片三极管参数： 晶体管类型: NPN 电流 - 集电极 (Ic)（）: 1.5A 电压 - 集电极发射极击穿（）: 25V Ib、Ic条件下的Vce饱和度（）: 500mV @ 80mA, 800mA 电流 - 集电极截止（）: 100nA 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE): 120 @ 100mA, 1V 功率 - : 625mW 频率 - 转换: 100MHz 安装类型: 表面贴装 封装/外壳: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供应商设备封装: SOT-23 包装: 带卷 (TR) 二、产品结构介绍： 三极管的基本结构是两个反向连结的PN接面，如图1所示，可有pnp和npn 两种组合。三个接出来的端点依序称为发射极（emitter,E）、基极（base,B）和集电极（collector,C），名称来源和它们在三极管操作时的功能有关。图中也显示出 npn与pnp三极管的电路符号，发射极特别被标出，箭号所指的极为n型半导体， 和二极体的符号一致。在没接外加偏压时，两个pn接面都会形成耗尽区，将中性的p型区和n型区隔开。 三极管的电特性和两个pn接面的偏压有关，工作区间也依偏压方式来分类，这里 我们先讨论最常用的所谓”正向活性区”（forward active），在此区EB极间的pn接 面维持在正向偏压，而BC极间的pn接面则在反向...
供应S8050片状三极管，优质厂家直销片状三极管
信息内容：一、片状三极管参数： 晶体管类型: NPN 电流 - 集电极 (Ic)（）: 1.5A 电压 - 集电极发射极击穿（）: 25V Ib、Ic条件下的Vce饱和度（）: 500mV @ 80mA, 800mA 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE) :160 @ 100mA, 1V 功率 - : 1W 频率 - 转换: 100MHz 安装类型: 通孔 封装/外壳: TO-226-3、TO-92-3 标准主体 供应商设备封装: TO-92-3 包装: 散装 二、产品介绍： 半导体三极管又称“晶体三极管”或“晶体管”。在半导体锗或硅的单晶上制备两个能相互影响的PN结，组成一个PNP（或NPN）结构。中间的N区（或P区）叫基区，两边的区域叫发射区和集电区，这三部分各有一条电极引线，分别叫基极B、发射极E和集电极C，是能起放大、振荡或开关等作用的半导体电子器件。
