供应S8050片状三极管，优质厂家直销片状三极管
| 价 格： | 面议 | |
| 型号/规格： | S8050 | |
| 品牌/商标： | HT | |
| 封装形式： | SOT-23 | |
| 环保类别： | 无铅环保型 | |
| 安装方式： | 贴片式 | |
| 包装方式： | 卷带编带包装 | |
| 功率特性： | | |
| 频率特性： | | |
| 极性： | |
一、片状三极管参数：
晶体管类型: NPN
电流 - 集电极 (Ic)（）: 1.5A
电压 - 集电极发射极击穿（）: 25V
Ib、Ic条件下的Vce饱和度（）: 500mV @ 80mA, 800mA
在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE) :160 @ 100mA, 1V
功率 - : 1W
频率 - 转换: 100MHz
安装类型: 通孔
封装/外壳: TO-226-3、TO-92-3 标准主体
供应商设备封装: TO-92-3
包装: 散装
二、产品介绍：
半导体三极管又称“晶体三极管”或“晶体管”。在半导体锗或硅的单晶上制备两个能相互影响的PN结，组成一个PNP（或NPN）结构。中间的N区（或P区）叫基区，两边的区域叫发射区和集电区，这三部分各有一条电极引线，分别叫基极B、发射极E和集电极C，是能起放大、振荡或开关等作用的半导体电子器件。
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供应SMD三极管100MHz，特价供应SMD三极管
信息内容：一、SMD三极管参数： 晶体管类型: NPN 电流 - 集电极 (Ic)（）: 1.5A 电压 - 集电极发射极击穿（）: 25V Ib、Ic条件下的Vce饱和度（）: 500mV @ 80mA, 800mA 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE): 120 @ 100mA, 1V 功率 - : 1W 频率 - 转换: 100MHz 安装类型: 通孔 封装/外壳: TO-226-3、TO-92-3 标准主体 供应商设备封装: TO-92-3 包装: 散装 二、产品介绍： 什么是三极管（也称晶体管）在中文含义里面只是对三个引脚的放大器件的统称，我们常说的三极管，可能是 如图所示的几种器件，可以看到，虽然都叫三极管，其实在英文里[1]面的说法是千差万别的，三极管这个词汇其实也是中文特有的一个象形意义上的的词汇,电子三极管 Triode 这个是英汉字典里面“三极管”这个词汇的英文翻译，这是和电子三极管最早出现有关系的，所以先入为主，也是真正意义上的三极管这个词最初所指的物品。
供应表面贴装高频贴片二极管，优质高频贴片二极管价格
信息内容：一、高频贴片二极管参数： 晶体管类型: NPN 电流 - 集电极 (Ic)（）: 200mA 电压 - 集电极发射极击穿（）: 40V Ib、Ic条件下的Vce饱和度（）: 300mV @ 5mA, 50mA 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE): 100 @ 10mA, 1V 功率 - : 225mW 频率 - 转换: 300MHz 安装类型: 表面贴装 封装/外壳: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供应商设备封装: SOT-23-3 (TO-236) 包装: 剪切带 (CT) 二、产品特性： 反向工作电压加在二极管两端的反向电压高到一定值时，会将管子击穿，失去单向导电能力。为了保证使用安全，规定了反向工作电压值。例如，IN4001二极管反向耐压为50V，IN4007反向耐压为1000V。 三、公司介绍： 我司以电子元器件为着陆点，潜心二、三极管领域近20年，是电子元器件产业二、三极管领域执着的守候者，立志做中国本土的电子元器件通路商。近20年的发展历程中先后被多家服务对象评为“战略伙伴”，“供应商”，“协力厂商”，并先后成为“深圳市电子商会副会长”，“中国质量管理者论坛副理事长”，“中国质量AAA 认证企业”。
