供应JCST贴片三极管特价产品，JCST贴片三极管直销代理
| 价 格： | 面议 | |
| 型号/规格： | S8050(J3Y) | |
| 品牌/商标： | JCST（长电） | |
| 封装形式： | SOT-23 | |
| 环保类别： | 无铅环保型 | |
| 安装方式： | 贴片式 | |
| 包装方式： | 卷带编带包装 | |
| 功率特性： | 大功率 | |
| 频率特性： | | |
| 极性： | |
一、JCST贴片三极管参数：
晶体管类型： NPN
电流 - 集电极 (Ic)（）： 1.5A
电压 - 集电极发射极击穿（）： 25V
Ib、Ic条件下的Vce饱和度（）： 500mV @ 80mA, 800mA
电流 - 集电极截止（）： 100nA
在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)： 120 @ 100mA, 1V
功率 - ： 625mW
频率 - 转换： 100MHz
安装类型： 表面贴装
封装/外壳： TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供应商设备封装： SOT-23
包装： 剪切带 (CT)
二、JCST贴片三极管工作原理：
晶体三极管（以下简称三极管）按材料分有两种：锗管和硅管。而每一种又有NPN和PNP两种结构形式，但使用最多的是硅NPN和锗PNP两种三极管，（其中，N表示在高纯度硅中加入磷，是指取代一些硅原子，在电压刺激下产生自由电子导电，而p是加入硼取代硅，产生大量空穴利于导电）。两者除了电源极性不同外，其工作原理都是相同的，下面仅介绍NPN硅管的电流放大原理。 对于NPN管，它是由2块N型半导体中间夹着一块P型半导体所组成，发射区与基区之间形成的PN结称为发射结，而集电区与基区形成的PN结称为集电结，三条引线分别称为发射极e、基极b和集电极c。
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供应长电贴片三极管厂家直销，长电贴片三极管特价优惠
信息内容：一、长电贴片三极管参数： 晶体管类型： NPN 电流 - 集电极 (Ic)（）： 1.5A 电压 - 集电极发射极击穿（）： 25V Ib、Ic条件下的Vce饱和度（）： 500mV @ 80mA, 800mA 电流 - 集电极截止（）： 100nA 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)： 120 @ 100mA, 1V 功率 - ： 625mW 频率 - 转换： 100MHz 安装类型： 表面贴装 封装/外壳： TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 供应商设备封装： SOT-23 包装： 带卷 (TR) 二、产品结构介绍： 更精确的说，三极管是利用VEB（或VBE）的变化来控制IC，而且提供之IB远比IC小。npn三极管的操作原理和pnp三极管是一样的，只是偏压方向，电流方 向均相反，电子和空穴的角色互易。pnp三极管是利用VEB控制由射极经基极，入射到集电极的空穴，而npn三极管则是利用VBE控制由射极经基极、入射到集电极的电子。三极管在数字电路中的用途其实就是开关，利用电信号使三极管在正向活性区（或饱和区）与截止区间切换，就开关而言，对应开与关的状态，就数字电路而言则代表0与1（或1与0）两个二进位数字。若三极管一直维持偏压在正向活性区，在射极与基极间微小的电信号（可以是电压或电流）变化，会造成...
供应HT贴片三极管优质代理家，厂家热卖HT贴片三极管
信息内容：一、HT贴片三极管参数： 晶体管类型: NPN 电流 - 集电极 (Ic)（）: 1.5A 电压 - 集电极发射极击穿（）: 25V Ib、Ic条件下的Vce饱和度（）: 500mV @ 80mA, 800mA 电流 - 集电极截止（）: 100nA 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE): 120 @ 100mA, 1V 功率 - : 625mW 频率 - 转换: 100MHz 安装类型: 表面贴装 封装/外壳: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 二、产品结构： 当没有被复合的空穴到达BC接面的耗尽区时，会被此区内的电场加速扫入集电极，空穴在集电极中为多数载体，很快藉由漂移电流到达连结外部的欧姆接点，形成集电极电流IC。IC的大小和BC间反向偏压的大小 关系不大。基极外部仅需提供与注入空穴复合部分的电子流IBrec，与由基极注入 射极的电子流InBE（这部分是三极管作用不需要的部分）。InB E在射极与与电 洞复合，即InB E=IErec。pnp三极管在正向活性区时主要的电流种类可以清楚地，射极注入基极的空穴流大小是由EB接面间的正向偏压大小来控制，和二极体的情形类似，在启动电压附近，微小的偏压变化，即可造成很大的注入电流变化。
